上海御微半导体技术有限公司杨思佳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海御微半导体技术有限公司申请的专利晶圆缺陷检测方法、装置、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411857669.2，技术领域涉及：G01N21/956；该发明授权晶圆缺陷检测方法、装置、设备、介质及产品是由杨思佳;郑教增;张鹏黎;孙刚设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆缺陷检测方法、装置、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备、介质及产品，包括：获取待检测晶圆图像；所述待检测晶圆图像中包括纹理和缺陷；根据预设纹理识别算法对所述待检测晶圆图像的纹理进行识别，得到纹理识别结果；根据所述纹理识别结果确定所述缺陷的检测结果。本技术方案通过根据预设纹理识别算法对待检测晶圆图像的纹理进行识别，进而确定晶圆缺陷检测结果，消除纹理对晶圆缺陷识别的影响，提高了晶圆表面晶圆缺陷检测的准确性和识别效率，提升产品的良率。
本发明授权晶圆缺陷检测方法、装置、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取待检测晶圆图像；所述待检测晶圆图像中包括纹理和缺陷； 根据预设纹理识别算法对所述待检测晶圆图像的纹理进行识别，得到纹理识别结果； 根据所述纹理识别结果确定所述缺陷的检测结果； 所述方法还包括，确定所述预设纹理识别算法的目标组合参数； 所述确定所述预设纹理识别算法的目标组合参数过程包括： 利用图像采集设备获取测试图像，并获取所述测试图像的均值图； 利用所述测试图像和所述均值图确定预设纹理参考图； 基于图像处理参数和卷积核处理参数确定组合参数；所述组合参数中包括一个图像尺寸、一个图像灰阶和一个卷积核尺寸； 对于各所述组合参数，基于机器学习算法的卷积核和所述组合参数对所述测试图像进行检测，得到检测结果； 利用评价体系和预设纹理参考图对所述检测结果进行评价得到评价结果； 基于各所述组合参数对应的评价结果和实际检测需求确定目标组合参数，以利用所述目标组合参数构建预设纹理识别算法。
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