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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种输出电压可调的LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411982552.7，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权一种输出电压可调的LED芯片是由张振;曹玉飞;黄文光设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输出电压可调的LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种输出电压可调的LED芯片，包括P‑GaN电阻方案和N‑GaN电阻方案。在P‑GaN方案中，N电极设置在右侧P型GaN层上，桥接电极连接右侧P型GaN层和N型GaN层，串联电阻由右侧P型GaN层提供；在N‑GaN方案中，N电极设置在蚀刻后的N型GaN层上，桥接电极仅与N型GaN层连接，串联电阻由N型GaN层提供。两种方案通过调节桥接电极与N电极之间的宽度间距，实现串联电阻可调，灵活控制输出电压。本发明采用光刻工艺、蚀刻工艺和金属沉积工艺，工艺成熟可靠，适用于不同场景，具备输出电压可调、电流路径明确、电流分布均匀等优点，具有显著的实用价值和推广前景。

本发明授权一种输出电压可调的LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种输出电压可调的LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的N型GaN层、多量子阱MQW层和P型GaN层； 设置在所述P型GaN层上的P电极； N电极，其位置根据不同结构设置： 在一种结构中，所述N电极设置在与左侧P型GaN层电气隔离的右侧P型GaN层上； 在另一种结构中，所述N电极设置在蚀刻掉所述P型GaN层和所述多量子阱MQW层后的N型GaN层上； 桥接电极，其连接方式根据不同结构设置： 在一种结构中，所述桥接电极与所述右侧P型GaN层和所述N型GaN层电连接； 在另一种结构中，所述桥接电极与所述N型GaN层电连接； 其中，所述桥接电极与所述N电极之间具有可调宽度间距，以形成可调串联电阻，所述串联电阻通过调整所述宽度间距以调节所述LED芯片的输出电压； 电流路径依次经过： 在所述N电极设置在右侧P型GaN层上的结构中，所述电流路径为：P电极→左侧P型GaN层→多量子阱MQW层→N型GaN层→右侧P型GaN层→N电极； 在所述N电极设置在蚀刻后的N型GaN层上的结构中，所述电流路径为：P电极→左侧P型GaN层→多量子阱MQW层→N型GaN层→N电极。

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