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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805644B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510015212.5，技术领域涉及：G02B5/28；该发明授权基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜及制备方法是由卜轶坤;卢敏;陈楠;王颢潼设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜，该薄膜包括由下至上依次层叠设置的结构：M1DM2ALHL^s，该薄膜的结构为非对称结构，其中，M1表示第一金属层，M2表示第二金属层，D表示第一介质层，A表示吸收层，L表示低折射率介质层，H表示高折射率介质层；s表示重复堆叠次数，s为正整数；M1DM2结构作为离散态，M2A作为第一连续态，LHL^s作为第二连续态。本发明还公开了一种基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜的制备方法，在实现高亮度高纯度宽色域结构色的同时，保证近红外实现高反射。

本发明授权基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Fano共振实现降温功能的结构色薄膜，其特征在于，该薄膜包括由下至上依次层叠设置的结构：M1DM2ALHL^s，该薄膜的结构为非对称结构，其中，M1表示第一金属层，M2表示第二金属层，D表示第一介质层，A表示吸收层，L表示低折射率介质层，H表示高折射率介质层；s表示重复堆叠次数，s为正整数；M1DM2结构作为离散态，M2A作为第一连续态，LHL^s作为第二连续态； 所述第一金属层M1和第二金属层M2的材料采用Ag、Ti、Al、Au和Cu中的一种； 所述第一介质层D的材料采用MgF2、SiO2、TiO2、AlF3、CeF3、LaF3、Na3AlF6、NdF3、BaF2、CaF2、LiF、Ta2O5、HfO2、ZrO2、Nb2O5、La2Ti2O7、Y2O3、ZnS、Si3N4、Bi2O3、CeO2、Cr2O3、MgO、Nd2O3、ZnO和Al2O3中的一种或至少两种的混合物； 所述吸收层的材料采用Ni、Ti、Cr、Fe2O3、Ge、单晶硅、多晶硅、Sb2S3、Sb2Se3、VO2、Ge2Sb2Te5、Ge2Sb2Se4Te1和GeTe中的一种； 所述高折射率介质层H的材料采用Ta2O5、TiO2、HfO2、ZrO2、Nb2O5、La2Ti2O7、Y2O3、ZnS、Si3N4、Bi2O3、CeO2、Cr2O3、MgO、Nd2O3和ZnO中的一种；所述低折射率介质层L的材料采用MgF2、SiO2、Al2O3、AlF3、CeF3、LaF3、Na3AlF6、NdF3、BaF2、CaF2和LiF中的一种； 所述第一金属层M1的厚度范围在100nm以上； 所述第二金属层M2的厚度范围在5-35nm之间； 所述第一介质层D的厚度范围在5-1000nm之间； 所述吸收层A的厚度范围在1-30nm之间； 所述低折射率介质层L的厚度范围在5-1000nm之间； 所述高折射率介质层H的厚度范围在5-1000nm之间。

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