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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119813959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726333.2，技术领域涉及：H03B5/18；该发明授权一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器是由程国枭;周美鑫;魏毅诚;史佳惠;康炜设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器在说明书摘要公布了：一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器，包括头部谐振单元、由第一电感单元、第二电感单元、第一电容单元共同组成的LC谐振单元、负阻单元、可变电容单元、阵列电容单元以及输出单元，头部谐振单元的输出端与第一电感单元的一端连接，第一电感单元的另一端与负阻单元的一端连接，负阻单元的另一端与第一电容单元连接，第一电容单元同时与可变电容单元连接，可变电容单元同时与阵列电容单元的一端连接，阵列电容单元的另一端与第二电感单元的一端连接，第二电感单元的另一端接地，输出单元的两个输入两端与可变电容单元连接，两个输出端作为压控振荡器的输出端口。

本发明授权一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于宽带谐波整形技术的低相位噪声D类压控振荡器，其特征在于，包括头部谐振单元1、由第一电感单元2.1、第二电感单元2.3、第一电容单元2.2共同组成的LC谐振单元2、负阻单元3、可变电容单元4、阵列电容单元5以及输出单元6，所述头部谐振单元1的输出端与第一电感单元2.1的一端连接，所述第一电感单元2.1的另一端与负阻单元3的一端连接，所述负阻单元3的另一端与第一电容单元2.2连接，所述第一电容单元2.2同时与可变电容单元4连接，所述可变电容单元4同时与阵列电容单元5的一端连接，所述阵列电容单元5的另一端与第二电感单元2.3的一端连接，所述第二电感单元2.3的另一端接地，输出单元6的两个输入两端与可变电容单元4连接，两个输出端作为压控振荡器的输出端口； 所述头部谐振单元1包括电容C1、电感L1和电感L2，电感L1的一端与电容C1的一端连接，电感L1的另一端与电感L2的一端连接，电容C1的另一端连接电源VDD，电感L1的另一端构成输出端口，电感L2的另一端连接电源VDD，电感L2的一端构成输出端口，同时电感L1与电感L2之间存在耦合系数km；所述头部谐振单元1谐振在压控振荡器的二次谐波频率上；所述第一电感单元2.1包括电感Ld1、电感Ld2，第二电感单元2.3包括电感Ls1、电感Ls2，第一电容单元2.2包括电容Cm1、电容Cm2，所述电感Ld1的一端、电感Ld2的一端均与头部谐振单元1输出端口连接，所述电感Ld1的另一端、电感Ld2的另一端分别作为第一电感单元2.1的另一端；所述电容Cm1的一端与电容Cm2的一端连接，所述电容Cm1的另一端、电容Cm2的另一端同时作为第一电容单元2.2的两端；所述电感Ls1的一端、电感Ls2的一端均作为第二电感单元2.3的一端，所述电感Ls1的另一端、电感Ls2的另一端均作为第二电感单元2.3的另一端，电感Ld1与电感Ls1之间存在耦合系数k，电感Ld2与电感Ls2之间存在耦合系数k

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