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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十五研究所申请的专利一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411672671.2，技术领域涉及：H01J23/40；该发明授权一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构是由舒燕;钟勇;刘蕾;李杨;刘卫荣;王勇;周宇设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构，涉及真空电子技术，包括：加载段散热金属筒，包括共轴的第一中空柱面和第二中空柱面，所述第一中空柱面的半径大于所述第二中空柱面的半径；第二子结构作为金属圆筒高频互作用段；渐变衰减陶瓷段，设置在第一子结构的中空柱面的两端，且两部分的渐变衰减陶瓷段的各节渐变衰减陶瓷的厚度朝第一子结构中部在轴向上渐进增厚；均匀衰减陶瓷，设置在两部分的渐变衰减陶瓷之间；基于第一子结构、第二子结构的中空柱面形成同轴固定半径的电子束通道。本申请采用两端轴向衰减和均匀衰减相结合的结构可以实现精密可控的衰减量，可以大大提高回旋行波管的增益、带宽和工作稳定性。

本发明授权一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构在权利要求书中公布了：1.一种回旋行波管轴向渐变加载高频注波互作用电路结构，其特征在于，包括： 加载段散热金属筒9，包括第一子结构和第二子结构，所述第一子结构和所述第二子结构在轴向上包括共轴的第一中空柱面和第二中空柱面，所述第一中空柱面的半径大于所述第二中空柱面的半径； 所述第二子结构，作为金属圆筒高频互作用段11； 渐变衰减陶瓷段，包括多节渐变衰减陶瓷，设置在所述第一子结构的中空柱面的两端，且两部分的渐变衰减陶瓷段的各节渐变衰减陶瓷的厚度朝所述第一子结构中部在轴向上渐进增厚； 均匀衰减陶瓷8，设置在两部分的渐变衰减陶瓷之间； 基于渐变衰减陶瓷、均匀衰减陶瓷8以及第二子结构的中空柱面形成有同轴固定半径的电子束通道； 所述渐变衰减陶瓷段和均匀衰减陶瓷8均为圆柱结构，且内径和外径相同，材料均为氧化铍； 两部分的所述渐变衰减陶瓷包括多节渐变衰减陶瓷，且在所述第一子结构两端的渐变衰减陶瓷的厚度最小，在轴向上厚度朝向所述第一子结构中部方向逐渐增大。

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