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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利芯片封装结构及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411798523.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权芯片封装结构及其制备方法、电子设备是由王阳;刘括设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装结构及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，适用于半导体技术领域，上述制备方法包括，在第一晶圆上形成第一重新布线层，得到第一堆叠结构，在至少一个第二晶圆的相对两侧表面形成第二重新布线层和第三重新布线层，得到至少一个第二堆叠结构，将至少一个第二堆叠结构与第一堆叠结构键合，第二重新布线层与第一重新布线层电连接。本申请的技术方案实现了，芯片封装结构的制备工艺难度的降低，以及芯片封装结构的封装精度的提升。

本发明授权芯片封装结构及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括： 在第一晶圆上形成第一重新布线层，得到第一堆叠结构； 在至少一个第二晶圆的相对两侧表面形成第二重新布线层和第三重新布线层，得到至少一个第二堆叠结构； 将所述至少一个第二堆叠结构与所述第一堆叠结构键合，所述第二重新布线层与所述第一重新布线层电连接； 其中，所述第二晶圆的相对两侧表面分别为第一表面和第二表面，所述第二晶圆包括器件层，所述器件层从所述第一表面延伸至所述第二晶圆内； 在至少一个第二晶圆的相对两侧表面形成第二重新布线层和第三重新布线层，包括： 在所述第二晶圆的第一表面上形成所述第二重新布线层，所述第二重新布线层与所述器件层电连接； 将所述第二晶圆和所述第二重新布线层与第一载片键合，所述第二重新布线层的远离所述第二晶圆一侧的表面与所述第一载片连接； 去除所述第二晶圆的第二表面的部分，使所述第二表面暴露所述器件层； 在所述第二表面上形成所述第三重新布线层，所述第三重新布线层与所述器件层电连接，得到所述第二堆叠结构； 形成所述第三重新布线层之后，所述制备方法还包括： 将所述第二堆叠结构与第二载片连接，所述第三重新布线层的远离所述第二晶圆一侧的表面与所述第二载片连接； 去除所述第一载片，暴露所述第二重新布线层的远离所述第二晶圆一侧的表面； 在所述第二堆叠结构中形成间隙，所述间隙贯穿所述第二重新布线层、所述第二晶圆和所述第三重新布线层，将所述第二堆叠结构分隔成多个芯片。

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