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龙图腾网获悉深圳中科飞测科技股份有限公司申请的专利单晶半导体晶圆测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411795363.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权单晶半导体晶圆测量系统及方法是由马砚忠;骆荣辉;陈治均;崔建华;白园园;陈鲁设计研发完成，并于2024-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶半导体晶圆测量系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶半导体晶圆测量系统及方法，该系统包括第一光源系统、多自由度定位平台、第一探测系统，第一光源系统发出第一X射线照射在多自由度定位平台上的样品的测量点上，第一探测系统探测第一X射线穿过样品形成的散射图像，其还包括：第二光源系统，用于从多个角度发射第二X射线，且多个角度的第二X射线的聚焦点与样品上的测量点重合；第二探测系统，用于接收第二X射线照射样品形成的衍射X射线，并识别衍射X射线的落点位置；计算模块，用于基于布拉格衍射原理分析落点位置，得到测量点所处平面的方向信息。本发明在进行CD‑SAXS量测时同步进行晶圆测量点所处平面的方向的测量，效率更高。

本发明授权单晶半导体晶圆测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶半导体晶圆测量系统，其包括依次设置的第一光源系统、多自由度定位平台、第一探测系统，所述第一光源系统发出第一X射线照射在所述多自由度定位平台上的样品的测量点上，所述第一探测系统探测所述第一X射线穿过所述样品形成的散射图像，其特征在于，其还包括： 第二光源系统，与所述第一X射线形成的光路的相对空间位置预先设定，用于从多个角度发射第二X射线，且多个角度的所述第二X射线的聚焦点与所述样品上的测量点重合； 第二探测系统，与所述第一X射线形成的光路的相对空间位置预先设定，用于接收所述第二X射线照射所述样品形成的衍射X射线，并识别所述衍射X射线的落点位置； 计算模块，与所述第二探测系统电性连接，用于基于布拉格衍射原理分析所述落点位置，得到所述测量点所处平面的方向信息； 所述第二探测系统包括二维阵列X射线探测器，所述二维阵列X射线探测器包括多个像素点，每个像素点和所述测量点之间的连线与所述第一X射线形成的光路呈特定角度； 所述计算模块用于根据所述衍射X射线的落点位置确认所述衍射X射线落点的目标像素点，且基于布拉格衍射原理计算所述衍射X射线的衍射角度，再根据所述衍射角度和所述目标像素点对应的目标特定角度计算所述测量点所处平面的法向与所述光路之间的夹角。

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