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龙图腾网获悉凤阳硅谷智能有限公司申请的专利一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510022105.5，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法是由初文静;林金锡;林金汉设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法，包括：前板玻璃，具有相对的入光面和出光面，出光面设有若干凸起；透明导电层，设于出光面；P1激光划道，将透明导电层划断；第一电荷传输层，设于透明导电层上；钙钛矿电池层，设于第一电荷传输层上；第二电荷传输层，设于钙钛矿电池层上；P2激光划道，将第二电荷传输层、钙钛矿电池层及第一电荷传输层划断；背电极层，设于第二电荷传输层上且填充进P2激光划道中与透明导电层电连接；P3激光划道，将背电极层、第二电荷传输层、钙钛矿电池层及第一电荷传输层划断；汇流条，将被凸起隔断的钙钛矿电池层并联；封装胶膜；背板玻璃；丁基胶，设于前板玻璃与背板玻璃之间，隔离外部的水汽。

本发明授权一种高透光型的钙钛矿电池结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高透光型的钙钛矿电池结构，其特征在于，所述钙钛矿电池结构包括： 前板玻璃1，其具有第一方向和第二方向，且所述的前板玻璃1还具有相对的入光面11和出光面12，所述出光面12上设置有若干平行于第二方向的凸起13，所述的凸起13用于增加透光率； 透明导电层2，其层叠设置于所述出光面12上的非凸起区域14中，所述的透明导电层2被若干凸起13隔断； 若干P1激光划道3，其平行于第一方向进行设置，以用于将所述透明导电层2划断； 第一电荷传输层4，其层叠设置于所述透明导电层2上； 钙钛矿电池层5，其层叠设置于所述第一电荷传输层4上； 第二电荷传输层6，其层叠设置于所述钙钛矿电池层5上； 若干P2激光划道7，其平行于所述P1激光划道3进行设置，以用于将所述第二电荷传输层6、钙钛矿电池层5以及第一电荷传输层4划断，从而形成若干钙钛矿子电池51； 背电极层8，其层叠设置于所述第二电荷传输层6上以及部分填充进所述P2激光划道7中并与所述透明导电层2形成电连接，从而将若干钙钛矿子电池51串联； 若干P3激光划道9，其平行于所述P2激光划道7进行设置，用于将所述背电极层8、第二电荷传输层6、钙钛矿电池层5以及第一电荷传输层4划断； 汇流条10，其用于将被所述凸起13隔断的钙钛矿电池层5并联连接； 封装胶膜15，其层叠设置于所述背电极层8上； 背板玻璃16，其层叠设置于所述封装胶膜15上； 以及丁基胶17，其设置于所述前板玻璃1与所述背板玻璃16之间，用于隔离外部的水汽。

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