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龙图腾网获悉大连工业大学申请的专利一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119856683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411923806.8，技术领域涉及：A01H4/00；该发明授权一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法是由张宗申;孙显;刘长斌设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法，包括以下具体步骤：S1.魔芋种苗的再生；S2.魔芋根状茎的诱导；S3.魔芋微球茎的再生；S4.魔芋微球茎的增殖培养；S5.出苗移栽。本发明将植物组织培养技术与魔芋细胞悬浮培养体系相结合，利用魔芋球茎诱导根状茎，经由根状茎皮层的薄壁细胞诱导出魔芋微球茎，再通过增殖培养基获得了大量葡甘聚糖含量较高的魔芋微球茎种子。本发明获得的微球茎活力旺盛，萌发能力强，而且便于储藏，没有休眠现象，可随时播种，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法在权利要求书中公布了：1.一种提高葡甘聚糖含量的魔芋种子培养方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.魔芋种苗的再生：将魔芋块茎接种于生芽培养基中，诱导出不定芽；所述生芽培养基为：12-1MS、0.4-0.6％魔芋精粉、2-3％蔗糖、2.0mgL6-BA、0.2mgLNAA、0.2-0.5mgLTDZ、0.1-0.2％琼脂粉、0.05％活性炭，pH5.8-6.0； S2.魔芋根状茎的诱导：将S1诱导出的不定芽及不定芽基部从球茎上分割，再将分割后的不定芽及其基部转接至根状茎诱导培养基中，诱导不定芽基部膨大并形成粗大的根状茎；所述根状茎诱导培养基为：改良MS、0.5-1.0％甘露糖、1-3％蔗糖、0.1-0.3％甘露醇、1.0-2.0mgL6-BA、0.2-1.0mgLNAA、0.1-0.3mgLKT、0.4-0.6％琼脂粉，pH5.8-6.0；所述改良MS为将MS培养基中NO3-与NH4+的摩尔比调节至3～5:1后得到； S3.魔芋微球茎的再生：将S2诱导出的粗大的根状茎与不定芽基部沿着膨大部位分割，并将芽点附近分化出的气生根去掉12，再将根状茎和球茎切割成小块后转接至微球茎诱导培养基中进行液体悬浮培养，诱导出魔芋微球茎；所述微球茎诱导培养基为：MS、0.5-1.0％甘露糖、2-3％蔗糖、0.1-0.3％甘露醇、2.0mgL6-BA、0.2mgLNAA、0.1-0.5mgLZT、1.0mgL的精氨酸，pH5.8-6.0； S4.魔芋微球茎的增殖培养：将S3诱导出的魔芋微球茎在表皮切割出伤口后，芽点朝上，半埋入微球茎增殖培养基中，促使魔芋微球茎增殖出大量的魔芋微球茎；所述微球茎增殖培养基为：改良B5、0.5-2.0％甘露糖、2-3％蔗糖、0.1-0.2％魔芋精粉、0.1-0.3％甘露醇、1.0mgL6-BA、1.0mgLNAA、0.1-0.5mgLTDZ、0.3-0.5％琼脂粉、1.0mgL甘氨酸、1.0mgL精氨酸，pH5.8-6.0；所述改良B5为B5培养基中添加0.33gLNH4NO3后得到； S5.出苗移栽：将S4增殖培养的魔芋微球茎经25mgL的SA浸泡1h后，分割成多个微球茎种子，播种于营养土：蛭石：珍珠岩体积比例为6:3:1的基质中培养1个月。

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