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龙图腾网获悉厦门宏芯创电子有限公司申请的专利存储器管理方法及存储器控制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411952796.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权存储器管理方法及存储器控制器是由苏洁;苏志超;李明彦;邱敏彦;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器管理方法及存储器控制器在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器管理方法及其存储器控制器。该方法包括：获取第一数据读取操作的第一电压值；将第一电压值及第一读取参数设置至整合读取模块；在整合读取模块执行第一数据读取操作时，并行获取第二数据读取操作的第二电压值；响应于第一数据读取操作完成，将第二电压值及第二读取参数设置至整合读取模块执行第二数据读取操作。本公开通过整合读取步骤并实现并行处理，显著提高了存储装置在错误处理过程中的数据读取效率。

本发明授权存储器管理方法及存储器控制器在权利要求书中公布了：1.一种存储器管理方法，适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置，其特征在于，所述方法包括： 获取对应第一数据的第一数据读取操作的第一电压值； 将所述第一电压值及对应所述第一数据的第一读取参数设置至整合读取模块，以经由所述整合读取模块执行所述第一数据读取操作， 其中所述整合读取模块包括： 参数配置模块，用于存储所述第一电压值及所述第一读取参数； 命令生成模块，用于根据所述第一电压值及所述第一读取参数生成用于所述可复写式非易失性存储器模块的读取命令序列； 执行模块，用于发送所述读取命令序列至所述可复写式非易失性存储器模块并接收所读取的所述第一数据，以执行所述第一读取操作；以及 状态反馈模块，用于存储所述第一数据读取操作的执行状态信息； 在执行所述第一数据读取操作时，并行地获取对应第二数据的第二数据读取操作的第二电压值；以及 判断所述第一数据与所述第二数据是否位于不同的存储平面； 若所述第一数据与所述第二数据位于不同的存储平面，在所述第一数据读取操作完成之前，将所述第二电压值及对应所述第二数据的第二读取参数设置至所述整合读取模块，以经由所述整合读取模块执行所述第二数据读取操作； 若所述第一数据与所述第二数据位于相同的存储平面，响应于所述第一数据读取操作完成，将所述第二电压值及对应所述第二数据的所述第二读取参数设置至所述整合读取模块，以经由所述整合读取模块执行所述第二数据读取操作。

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