买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种紧凑型新型RF MEMS串联电容开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119865157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411944959.0，技术领域涉及：H03K17/56；该发明授权一种紧凑型新型RF MEMS串联电容开关是由杨军;马智超;张乃柏;郭秋泉;黄建明;杨光耀;邓琨;王子莱;张东星;贾沛沛;肖骏峰;林展鸿;何小龙;李依桐设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型新型RF MEMS串联电容开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紧凑型新型RFMEMS串联电容开关，属于射频微机电系统技术领域。本发明所述开关包括背覆金属、衬底、负极非金属直流偏置线、仿真空气桥、直流端口、正极非金属直流偏置线、右下层锚点、缺陷共面波导地、共面波导信号线、电极介质层、右上层锚点、金属悬臂梁、二氧化硅裙边梁、左锚点、正极金属偏置线、金属梁和信号桥。本发明所述开关将上电极集成到信号桥，形成串联电容开关结构，能够减小开关尺寸；金属悬臂梁使用单端供直流电，供电结构简单，采用悬臂金属梁和固定支撑二氧化硅梁的复合结构，避免悬臂梁产生的开关翘曲并提供回复力；开关工作带宽大，开关隔离度大，插入损耗小；设计的缺陷共面波导地和直流端口隔离结构，能够防止开关在高压下击穿或短路后爆炸，损毁射频探头和其他相邻器件。

本发明授权一种紧凑型新型RF MEMS串联电容开关在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型新型RFMEMS串联电容开关，其特征在于，包括背覆金属1、衬底2、负极非金属直流偏置线3、仿真空气桥4、直流端口5、正极非金属直流偏置线6、右下层锚点7、缺陷共面波导地8、共面波导信号线9、电极介质层10、右上层锚点11、金属悬臂梁12、二氧化硅裙边梁13、左锚点14、正极金属偏置线15、金属梁16和信号桥17； 背覆金属1位于衬底2的下表面； 共面波导信号线9位于衬底2的上表面，呈对称的阶梯状结构，中间断开，与衬底2的边平行； 缺陷共面波导地8位于衬底2的上表面，包围共面波导信号线9且中间留有间隙，在共面波导信号线9的右侧部分具有阶梯型缺陷结构，在阶梯型缺陷结构的右侧设有空气桥； 右下层锚点7位于衬底2的上表面，处于缺陷共面波导地8的阶梯型缺陷结构内，与缺陷共面波导地8具有间隙隔离； 两个直流端口5位于衬底2的上表面，分别位于缺陷共面波导地8的左右两侧； 正极非金属直流偏置线6位于衬底2的上表面，穿过缺陷共面波导地8的空气桥，用于连接右下层锚点7和右侧的直流端口5； 两个仿真空气桥4，分别位于共面波导信号线9的两端，横跨缺陷共面波导地8；仿真空气桥4与近邻的共面波导信号线9的端部连接； 两条正极金属偏置线15位于衬底2的上表面，一端分别连接至左侧的直流端口5； 两个负极非金属直流偏置线3位于衬底2的上表面，分别位于共面波导信号线9的两端，包含相互连接的直线段部分和多次折叠线段部分；直线段部分与缺陷共面波导地8隔离并与近邻的仿真空气桥4连接，多次折叠线段部分连接至近邻的正极金属偏置线15； 两个电极介质层10，均呈矩形结构，覆盖于共面波导信号线9中间断开部分的两端，宽度覆盖共面波导信号线9的一个阶梯且不与缺陷共面波导地8相接触； 右上层锚点11位于右下层锚点7的上表面，且面积小于右下层锚点7； 金属悬臂梁12包括连接的金属梁16和信号桥17，金属梁16包括多次折叠金属线和金属贴片，金属贴片位于右上层锚点11的上表面；信号桥17的边框不超过电极介质层10的边框，跨越共面波导信号线9中间断开部分；信号桥17与电极介质层10之间通过右上层锚点11形成间隙； 左锚点14位于缺陷共面波导地8的上表面，包括上下依次堆叠、形状相同的两层；下层与右上层锚点11位于同一高度，中心连线与衬底2的边平行且穿过共面波导信号线9中间断开部分的中心位置；上层与金属悬臂梁12位于同一高度； 二氧化硅裙边梁13位于左锚点14和金属悬臂梁12的上表面，且包覆两者；二氧化硅裙边梁13横跨共面波导信号线9的中间断开部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。