北京大学吴恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411996099.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;蒋婧儒;彭莞越;王润声;许晓燕;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，第一部分相比于第二部分远离半导体衬底；基于第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管包括：第一栅极结构，第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成与第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，第二晶体管包括：第二栅极结构，第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；第二栅极制备工艺和第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；第一栅极结构的耐热度大于第二栅极结构的耐热度。
本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体衬底上一次刻蚀形成鳍状结构，其中，所述鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，所述第一部分相比于所述第二部分远离所述半导体衬底； 基于所述第一部分，形成第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括：第一栅极结构，所述第一栅极结构是通过第一栅极制备工艺形成的； 倒片并去除所述半导体衬底； 基于所述第二部分，形成与所述第一晶体管沿第一方向堆叠的第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括：第二栅极结构，所述第二栅极结构是通过第二栅极制备工艺形成的；所述第二栅极制备工艺和所述第一栅极制备工艺至少制备步骤不同；所述第一栅极结构的耐热度大于所述第二栅极结构的耐热度。
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