买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利固态纳米孔阵列与固态纳米孔阵列器件的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873740B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510039232.6，技术领域涉及：B82B3/00；该发明授权固态纳米孔阵列与固态纳米孔阵列器件的制备方法及应用是由赵立欢;赵昕;吴林晟设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本固态纳米孔阵列与固态纳米孔阵列器件的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种固态纳米孔阵列与固态纳米孔阵列器件的制备方法及应用，结合镀膜以及刻蚀工艺于第一和第二薄膜层，以及第三和第四薄膜层中分别形成第一和第二方向纳米条带，然后于第一和第二纳米条带的交叉点进行选择性刻蚀，从而在功能材料层中形成所需要的固态纳米孔阵列，该制备方法与已有的制备固态纳米孔阵列的方法相比，具有快速高效，大面积制备，成本低等优势，且通过工艺参数调节能够精确控制形成的固态纳米孔的孔径、阵列规模；此外，该制备方法适用于多种固体材料并能够完全与现有的CMOS工艺技术相兼容，可实现固态纳米孔阵列器件的大规模制造。此外，固态纳米孔阵列器件能够对电化学信号，以及DNA或蛋白等生物分子的高通量分析和检测。

本发明授权固态纳米孔阵列与固态纳米孔阵列器件的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种固态纳米孔阵列的制备方法，其特征在于，所述固态纳米孔阵列的制备方法包括以下步骤： S1：提供一衬底，于所述衬底的正面上形成需要制备纳米孔的功能材料层； S2：于所述功能材料层上进行沉积工艺形成第一薄膜层； S3：沿所述第一薄膜层的第一方向对所述第一薄膜层进行第一干法刻蚀形成多个第一凹槽； S4：于所述第一薄膜层上进行沉积工艺形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述第一凹槽的底部和侧壁以及所述第一薄膜层的顶部，刻蚀去除覆盖所述第一凹槽的底部以及所述第一薄膜层的顶部的所述第一牺牲层； S5：于所述第一薄膜层上形成第二薄膜层，所述第二薄膜层覆盖所述第一凹槽的底部且所述第二薄膜层与所述第一薄膜层具有相同的高度，即位于所述第一凹槽侧壁上的所述第一牺牲层被所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包覆，以所述第一牺牲层作为第一纳米条带； S6：于所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上进行沉积工艺形成第三薄膜层，沿所述第三薄膜层的第二方向对所述第三薄膜层进行第二干法刻蚀形成多个第二凹槽，所述第一方向和所述第二方向之间的夹角θ范围为0＜θ180°； S7：于所述第三薄膜层上进行沉积工艺形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述第二凹槽的底部和侧壁以及所述第三薄膜层的顶部，刻蚀去除覆盖所述第二凹槽的底部和所述第三薄膜层的顶部的所述第二牺牲层； S8：于所述第三薄膜层上形成第四薄膜层，所述第四薄膜层覆盖所述第二凹槽的底部且所述第四薄膜层与所述第三薄膜层具有相同的高度，即位于所述第二凹槽侧壁上的所述第二牺牲层被所述第三薄膜层和所述第四薄膜层包覆，以所述第二牺牲层作为第二纳米条带； S9：于所述第一纳米条带与所述第二纳米条带的交叉点处进行刻蚀工艺，形成第一刻蚀腔； S10：基于所述第一刻蚀腔对所述功能材料层进行干法刻蚀，于所述功能材料层中形成固态纳米孔阵列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。