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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510091444.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构是由陈杉;张云峰设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构，方法包括：获取待涂敷抗反射层的基底的前层薄膜参数，仿真选取待涂敷抗反射层和光阻的目标膜厚及目标曝光锚点；改变照明条件参数进行光刻工艺验证，选取光刻得到接触孔边缘粗糙度最小的目标曝光锚点作为选定曝光锚点，对应的照明条件参数为接触孔光刻工艺条件。本发明迭代优化光刻的照明条件参数，明显改善光刻接触孔的边缘粗糙度；同时迭代优化前通过工艺窗口设计条件筛选目标曝光锚点，使改善后的接触孔满足工艺窗口设计条件，适用于高精度要求的光刻工艺；另外通过提前得到不同工艺对应的接触孔最优光刻工艺条件，可对工艺变化带来的光刻条件变化做出快速应变。

本发明授权一种接触孔光刻工艺条件设计方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种接触孔光刻工艺条件设计方法，其特征在于，所述设计方法包括： 提供一待涂敷抗反射层的基底，所述基底包括衬底以及沉积于所述衬底上的n层薄膜，n为大于等于1的整数；量测获取待涂敷的抗反射层的基底的前层薄膜参数，所述前层薄膜参数包括自所述基底的最顶层薄膜起的m层薄膜中每一层薄膜的膜厚与相应的消光系数，m为大于等于1且小于等于n的整数； 通过得到的所述前层薄膜参数进行光刻仿真，获取待涂敷的抗反射层的仿真膜厚与消光系数关系曲线，进而选取待涂敷的抗反射层的目标膜厚； 根据所述前层薄膜参数以及待涂敷的抗反射层的目标膜厚与消光系数进行光刻仿真，获取在待涂敷的抗反射层上设置光阻的仿真膜厚与反射率关系曲线，进而选取所述光阻的目标膜厚； 根据所述前层薄膜参数、待涂敷的抗反射层的目标膜厚与消光系数、所述光阻的目标膜厚，选取候选曝光锚点、固定待优化光刻参数和照明方式参数进行光刻仿真，获取至少一目标曝光锚点； 在所述基底上通过改变照明条件参数，对前述步骤所获取的光刻工艺条件进行光刻工艺验证，选取光刻得到的接触孔边缘粗糙度最小的目标曝光锚点作为选定曝光锚点，并获取选定曝光锚点相应的照明条件参数，从而确定接触孔光刻工艺条件；所述照明条件参数包括：数值孔径、外环光瞳相对半径和内环光瞳相对半径；前述步骤所获取的光刻工艺条件包括：待涂敷的抗反射层的目标膜厚、所述光阻的目标膜厚、所述照明方式参数以及所述至少一目标曝光锚点。

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