买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119908179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480003427.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由胜田浩人;平子正明;今村武司设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1具备半导体层40和形成于半导体层40的第一纵型MOS晶体管10以及第二纵型MOS晶体管20，在半导体层40的平面视图中，第一栅极电极区域G1的外周边中的1边的全长以及第一电阻元件区域R1的外周边中的1边的全长，与半导体层40的外周边中的正交于边界线90且与第一栅极焊盘119之间的距离最短的边的一部分一致，在半导体层40的平面视图中，第一电阻元件区域R1的外周边中仅包含第一栅极电极区域G1的外周的4个角部中的与边界线90之间的距离最短并且与半导体层40的外周边中的正交于边界线90的边之间的距离最短的1个角部。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体层，包含半导体衬底； 第一纵型MOS晶体管，在上述半导体层的上表面侧整体形成于上述半导体层的第一区域内； 第二纵型MOS晶体管，在上述半导体层的平面视图中整体形成于与上述第一区域相邻的第二区域内；以及 金属层，形成于上述半导体层的下表面侧，与上述半导体衬底接触而连接； 上述半导体衬底是上述第一纵型MOS晶体管及上述第二纵型MOS晶体管的共通漏极区域； 在上述平面视图中，上述半导体层是正方形； 在上述平面视图中，上述第一区域和上述第二区域在第一方向上排列； 在上述平面视图中，上述第一区域与上述第二区域的边界线正交于上述第一方向，并且是将上述半导体层在面积上二等分且穿过上述半导体层的中心的一直线状； 在上述平面视图中，设置在上述第一区域中的焊盘仅仅是与上述第一纵型MOS晶体管的第一源极电极连接的1个第一源极焊盘以及与上述第一纵型MOS晶体管的第一栅极电极连接的1个第一栅极焊盘； 上述第一纵型MOS晶体管具有： 第一栅极电阻元件，与上述第一栅极电极连接； 第一栅极电极区域，是在上述平面视图中将上述第一栅极焊盘包含在内部的矩形区域，并且是在既不包含上述第一源极电极也不包含上述第一栅极电阻元件的范围中面积最大的区域；以及 第一电阻元件区域，是在上述平面视图中将上述第一栅极电阻元件包含在内部的矩形区域，并且是在既不包含上述第一源极电极也不包含上述第一栅极电极区域的范围中面积最大的区域； 在上述平面视图中，上述第一栅极电极区域的外周边中的1边的全长以及上述第一电阻元件区域的外周边中的1边的全长，与上述半导体层的外周边中的正交于上述边界线且与上述第一栅极焊盘之间的距离最短的边的一部分一致； 在上述平面视图中，上述第一电阻元件区域的外周边中仅包含上述第一栅极电极区域的外周的4个角部中的、与上述边界线之间的距离最短并且与上述半导体层的外周边中的正交于上述边界线的边之间的距离最短的1个角部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新唐科技日本株式会社，其通讯地址为：日本；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。