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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119913460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510087374.X，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法是由梁献波;刘梦佳;刘克武;尹士平;陈松玲设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法在说明书摘要公布了：一种锗基底2‑2.3μm短波低反射膜系的制备方法包括步骤：S1，作为镜片的锗基底的陪镀片和产品清洁，陪镀片为圆片和楔形片；S2，镜片装入工装夹具，工装夹具挂入腔体；S3，抽真空，霍尔离子源清洗；S4，在镜片的第一面，按照34.8nmSiO64.3nmGe52.2nmZnS272.8nmSiO顺序镀制各膜层，SiO膜层和Ge膜层电子束加热蒸发，ZnS膜层电阻加热蒸发，SiO膜层的沉积速率为0.6nms，Ge膜层的沉积速率为0.3nms，ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，离子源辅助沉积；S5，腔体降温冷却，工装夹具连同镜片取出；S6，重复步骤S1至步骤S5，在镜片的第二面镀制相同的膜系，其中，楔形片在重复步骤S1时不进行清洁以及在重复步骤S2时不放入工装夹具。

本发明授权锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锗基底2-2.3μm短波低反射膜系的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1，将作为镜片的锗基底的陪镀片和产品的表面进行清洁处理，其中，陪镀片为等厚度的圆片和第一面为抛光平面而第二面为粗糙毛面的斜面的楔形片； S2，将处理好的镜片装入工装夹具，装好镜片的工装夹具挂入真空镀膜机腔体内，腔体的温度设定为150℃； S3，真空镀膜机启动抽真空，真空度达到1.0×10-3Pa，打开真空镀膜机的霍尔离子源进行清洗，清洗时间为6min，霍尔离子源的参数为：阳极电压为220V，阳极电流为1.2A，中和电流为1.5A，中和气流量为10sccm，以及氩气流量占比为100％； S4，在镜片的第一面，按照SiO、Ge和ZnS三种膜料构成的四层的膜系34.8nmSiO64.3nmGe52.2nmZnS272.8nmSiO，顺序镀制各膜层， 其中，SiO、Ge和ZnS前的带有nm的数字为对应膜层的膜厚，SiO膜层和Ge膜层采用电子束加热蒸发，ZnS膜层采用电阻加热蒸发，SiO膜层的沉积速率为0.6nms，Ge膜层的沉积速率为0.3nms，ZnS膜层的沉积速率为0.8nms，各膜层均采用离子源辅助沉积，各膜层在腔体温度为150℃的温度下完成沉积； S5，在镜片的第一面镀制膜系完成后，腔体自然降温冷却至60℃以下，将工装夹具连同镜片取出； S6，重复步骤S1至步骤S5，在镜片的第二面镀制相同的膜系，其中，楔形片在重复步骤S1时不进行清洁以及在重复步骤S2时不放入工装夹具。

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