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龙图腾网获悉天津光电集团有限公司;天津七五四光电技术有限公司申请的专利一种SiC材料的MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411906402.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种SiC材料的MOSFET器件是由程子健设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC材料的MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC材料的MOSFET器件，漏极位于最底部，漏极上方设有衬底，衬底为重掺杂N型SiC衬底，衬底的高掺杂SiC与漏极的金属钨形成欧姆接触，外延层位于衬底上方，采用N型掺杂的SiC材料制成，低于衬底掺杂浓度，外延层包括P区，P区为在N型掺杂的外延层中，离子注入一条P型掺杂的SiC带，使其与外延层N型掺杂的SiC之间形成PN结，外延层中P型掺杂的SiC带设于衬底上方5μm处，P区的上方对称设有两个P型掺杂基区，两个P型掺杂基区的上方对称设有P+源区和N+源区，两个P型掺杂基区之间对称设有两个多晶硅区域，本发明具有尺寸小、耐高压、抗高温、快开关以及低导通电阻和低损耗的优点，主要应用于新能源汽车规级的高性能、高栅氧可靠性SiCMOSFET。

本发明授权一种SiC材料的MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种SiC材料的MOSFET器件，其特征在于，包括漏极，衬底和外延层，所述漏极位于最底部，其作为MOSFET器件输出电流的端子，材料为金属钨，所述漏极上方设有衬底，所述衬底为重掺杂N型SiC衬底，厚度为1μm，掺杂浓度为5×1019cm-3，所述衬底的高掺杂SiC与漏极的金属钨形成欧姆接触，所述外延层位于衬底上方，采用N型掺杂的SiC材料制成，低于衬底掺杂浓度，其漂移区掺杂浓度为2×1015cm-3，厚度为18μm，所述外延层包括P区，所述P区为在N型掺杂的外延层中，离子注入一条P型掺杂的SiC带，使其与外延层N型掺杂的SiC之间形成PN结，外延层中P型掺杂的SiC带设于衬底上方5μm处，厚度为3μm，掺杂浓度为1×1016cm-3，所述P区的上方对称设有两个P型掺杂基区，用于形成导电沟道，厚度为1.8μm，宽度为5μm，两个P型掺杂基区的上方对称设有P+源区和N+源区，所述N+源区位于内侧，所述P+源区位于N+源区的外侧，所述P+源区的厚度为1μm，宽度为2μm，所述N+源区的厚度为1μm，宽度为3μm，其中一部分与电极金属形成欧姆接触，两个P型掺杂基区之间对称设有两个多晶硅区域，所述多晶硅区域采用N型重掺杂的多晶硅沉积作为器件栅极，所述多晶硅区域呈柱形，厚度为2.5μm，宽度为1μm，所述柱形多晶硅区域下方比P型掺杂基区靠下，所述P+源区的上方设有源极，所述源极和栅极的材料均为金属钼。

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