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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411796444.0，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法是由江安全;胡笛;李一鸣;孙杰;王兴龙设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法。本发明铁电存储器件包括铁电衬底、以及位于该铁电衬底上铁电凸块、第一电极和第二电极；铁电凸块包含籽畴区域和铁电存储层区域；通过对存储器件单元的第一电极和第二电极之间施加电场，在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域，利用所述籽畴区域，降低铁电存储层区域电畴反转的成核能，使铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低，并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性，从而增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性，降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗，提高存储器读写速度和寿命。

本发明授权降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法，其特征在于，是通过对存储器件单元施加电场，在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域，利用所述籽畴区域，降低铁电存储层区域电畴反转的成核能，使所述铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低，并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性，从而降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗，增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性，提高存储器读写速度和寿命；具体步骤如下： 1在铁电衬底上通过刻蚀形成铁电凸块或者由铁电材料隔离的凹槽；所述铁电凸块或隔离凹槽的铁电材料包含铁电存储层区域和籽畴区域，在所述铁电凸块两侧形成第一电极和第二电极，或者在凹槽内填充第一电极和第二电极； 2所述的第一电极和第二电极，其形状及相对位置关系满足以下条件，即在第一电极和第二电极间施加电场时，电场与所述铁电衬底极化方向间存在一定夹角，夹角范围为大于等于0度且小于90度； 3在所述第一电极和第二电极之间施加第一预设电场，使两电极间的铁电存储层区域的电畴反向成核生长并向外扩展，从而建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道，所述第一预设电场需大于等于铁电存储层区域电畴翻转的矫顽电场； 4在所述第一预设电场下，所述第一电极与第二电极间的铁电存储层电畴反转可扩展至电场较弱的区域，该区域即为籽畴区域；由于籽畴区域电场较弱，籽畴一旦形成后便不易被擦除，而铁电存储层区域的电畴在电场调控下正常反转，与周边不反转的电畴形成反平行或平行的畴结构，从而形成可擦写的畴壁导电通道，与两电极相连，能够非易失性地存储逻辑“0”和“1”信息；在小于第一预设电场的第二预设电场下控制铁电存储层电畴的稳定和可重复性反转；在以上形成反平行或平行的电畴间施加一个小于第二预设电场的读电场，产生一个开态或关态电流，可识别所存储的逻辑“0”和“1”信息。

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