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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348021.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件是由陈伟中;邓志杰;陈泽生;周扬淇;肖宇凡设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成双自偏置MOS的SiCMOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件结构上呈现对称状态，包括主MOS、自偏置PMOS和自偏置NMOS，其中，在主MOS的两侧均集成有自偏置PMOS和自偏置NMOS。本发明通过集成自偏置PMOS实现了在正向导通时，自偏置PMOS关断，P‑well区域的浮空，降低了器件的导通电阻；在阻断情况下，自偏置PMOS实现导通，对P‑well区域实现了钳位，相比完全浮空器件有效地保护了器件的栅氧化层。通过集成自偏置NMOS实现了第三象限的续流功能，且该条件下，P‑well处于浮空状态，体二极管不可能被导通，完全避免了双极退化效应。

本发明授权一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种集成双自偏置MOS的SiCMOSFET器件，其特征在于，该器件包括N+衬底区、位于所述N+衬底区表面的N-漂移区、位于所述N-漂移区表面的主MOS以及位于所述N-漂移区表面且分布在所述主MOS两侧的第一双自偏置MOS和第二双自偏置MOS； 所述第一双自偏置MOS和第二双自偏置MOS结构相同，且呈对称分布；所述第一双自偏置MOS和第二双自偏置MOS均包括自偏置PMOS和自偏置NMOS；所述自偏置PMOS用于控制浮空和钳位；所述自偏置NMOS用于反向导通； 所述第一双自偏置MOS和第二双自偏置MOS均包括P-well区、P+区、第二多晶硅区、第二绝缘介质层、P-base区、第二N+源区和P+漏区；所述P-well区位于所述N-漂移区表面；所述P+区位于所述P-well区左上方或右上方；所述第二多晶硅区位于所述P-well和P+区上方，且通过所述第二绝缘介质层与所述第二N+源区、P-base区、N-漂移区、P-well区和P+区相隔；所述P-base区位于所述N-漂移区表面，且与所述主MOS相邻；所述第二N+源区位于所述P-base区左上方或右上方；所述P+漏区位于所述P-base区表面，且与所述主MOS相邻； 所述P-well区作为所述自偏置PMOS的源极；所述第二N+源区作为所述自偏置NMOS的源极；所述P+漏区作为所述自偏置PMOS的漏极；所述第二多晶硅区作为所述自偏置PMOS和自偏置NMOS的栅极；所述自偏置NMOS的漏极与所述主MOS的漏极连接； 所述自偏置PMOS的漏极和栅极短接；所述自偏置NMOS的源极和栅极短接。

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