南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司张珺获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510074868.4，技术领域涉及：H10K10/29；该发明授权一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法是由张珺;刘焘榕;赵子强;敬傲伟;杨袁;常恒典;林昊南;郭宇锋;姚佳飞;陈静;杨可萌;张茂林设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种双向导通的纵向结构二极管及其制备方法，本发明提供的二极管具备阳极、阴极和有机‑无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT‑TT溶液涂覆形成的DPPT‑TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入1019cm‑3磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片。通过引入新的隧道复合电流模式，增强了电荷输运能力。这种新型的异质结结构有效改善了载流子在电极处的注入和传输过程，显著降低了接触电阻。这种电极修饰方案不仅可以提高器件的导电性，还能改善整体的能量传输效率。
本发明授权一种双向导通的纵向结构二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双向导通的纵向结构二极管，具备：阳极、阴极和有机-无机异质结；所述阳极覆盖的区域为异质结的P型半导体层，其由无掺杂的本征DPPT-TT溶液涂覆形成的DPPT-TT膜组成；所述阴极覆盖的区域为异质结的N型半导体层，其为掺入10-19cm-3磷原子的硅片；所述阳极采用铜作为接触材料；所述阴极为铟片； 在所述掺入10-19cm-3磷原子的硅片的上表面两侧区域涂覆形成DPPT-TT膜，在所述掺入10-19cm-3磷原子的硅片的上表面中间区域黏附阴极；在两侧的DPPT-TT膜的上表面沉积所述阳极。
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