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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119954200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953182.4，技术领域涉及：C01G19/02；该发明授权一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法是由赵文杰;闫瑞田;全卫东;徐丹;段晓阳;崔维萍;肖扬设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种Ru修饰的SnS2SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法，属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低，电导率低和响应速率慢的技术问题，本发明气敏材料的制备：采用水热法合成SnS2敏感材料；采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒，形成表面颗粒分布的二维花状结构材料；使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2SnO2材料的修饰，通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率，特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。

本发明授权一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ru修饰的SnS2SnO2花状复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、将锡源和硫源加入溶剂Ⅰ中，搅拌均匀得到分散液； 步骤二、将分散液置于高压反应釜中进行第一次水热反应，反应完成后，冷却至室温，收集反应所得黄色固体产物，洗涤、干燥得到二维花状结构的二硫化锡粉末；第一次水热反应的温度为160~200℃，反应时间为20~30h； 步骤三、将新的锡源和二硫化锡粉末溶解于溶剂Ⅱ中，加入溶解剂和催化剂，搅拌均匀得到悬浊液，将悬浊液置于高压反应釜中进行第二次水热反应，得到沉淀物，洗涤、干燥得到球形SnO2颗粒分散嵌入到花状SnS2中的SnS2SnO2粉末；所述新的锡源包括五水合四氯化锡、无水四氯化锡中的一种或两种的组合；所述溶解剂为草酸，所述催化剂为聚乙烯吡咯烷酮；新的锡源、二硫化锡、溶解剂和催化剂的质量比为1:4~5:8~10:4~5；第二次水热反应的温度为150~200℃，时间为20~40h；溶剂Ⅰ和溶剂Ⅱ各自独立的选择异丙醇、甲醇、乙醇中的一种或多种的组合； 步骤四、向SnS2SnO2粉末中加入醋酸钌溶液，超声处理后再沉浸处理，然后真空干燥得到Ru修饰的SnS2SnO2花状复合材料。

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