中国科学院半导体研究所李明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119960214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510137164.7，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台及其制备方法是由李明;王鹏;谢毓俊;赵洸铭;邱枫;官泽豪设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台，可应用于光电集成技术领域，该平台包括：硅器件区、键合层和锆钛酸铅器件区，其中，硅器件区和锆钛酸铅器件区分别键合在键合层的相对两侧；硅器件区包括硅耦合器以及硅基光电探测器，其中，硅耦合器与硅基光电探测器利用同一绝缘衬底上的硅的顶层硅层制作而成；锆钛酸铅器件区包括锆钛酸铅耦合器以及锆钛酸铅基调制器，其中，锆钛酸铅耦合器与锆钛酸铅基调制器利用同一锆钛酸铅晶圆的单晶锆钛酸铅薄膜层制作而成。该平台实现了光电调制器与探测器集成，具有CMOS兼容性和商业化前景，突破了硅基调制带宽限制，适用于高速通信等领域，为相关应用提供关键支撑。
本发明授权硅/单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅单晶薄膜锆钛酸铅异质集成光学平台，其特征在于，包括：硅器件区、键合层和锆钛酸铅器件区， 其中，所述硅器件区和所述锆钛酸铅器件区分别键合在所述键合层的相对两侧； 所述硅器件区包括硅耦合器以及硅基光电探测器，其中，所述硅耦合器与所述硅基光电探测器利用同一绝缘衬底上的硅的顶层硅层制作而成； 所述锆钛酸铅器件区包括锆钛酸铅耦合器以及锆钛酸铅基调制器，其中，所述锆钛酸铅耦合器与所述锆钛酸铅基调制器利用同一锆钛酸铅晶圆的单晶锆钛酸铅薄膜层制作而成； 所述硅器件区与所述键合层之间形成有光场场消逝波耦合结构；以及 所述键合层与所述锆钛酸铅器件区之间形成有光场场消逝波耦合结构。
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