北京超弦存储器研究院王文奇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311473796.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由王文奇;李相惇;康卜文设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件可以包括衬底；所述衬底包括多个第一半导体柱，所述第一半导体柱在第一方向上和第二方向上间隔排列；多条位线，位于第一半导体柱的上方；第一隔离层，位于多条位线之上；第二隔离层，位于第一隔离层之上；多条字线，位于第一隔离层与第二隔离层之间；多个第二半导体柱，延伸穿过第二隔离层、字线、第一隔离层以及位线与第一半导体柱一一对应连接；第二半导体柱与字线绝缘，且与位线连接。本申请的半导体器件可降低位线电容，有助于增大感测放大器的感测窗口。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括多个第一半导体柱，所述第一半导体柱在第一方向上和第二方向上间隔排列，所述第一方向与所述第二方向交叉且均平行于所述衬底； 多条位线，位于所述第一半导体柱的上方，各所述位线沿着所述第二方向延伸且沿着所述第一方向间隔排列； 第一隔离层，位于所述多条位线之上； 第二隔离层，位于所述第一隔离层之上； 多条字线，位于所述第一隔离层与所述第二隔离层之间，各所述字线沿着所述第一方向延伸且沿着所述第二方向间隔排列； 多个第二半导体柱，延伸穿过所述第二隔离层、所述字线、所述第一隔离层以及所述位线并与多个所述第一半导体柱一一对应连接； 所述第二半导体柱与所述字线绝缘，且与所述位线连接。
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