南方科技大学于洪宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利氮化镓基p沟道器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510165305.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化镓基p沟道器件及其制备方法是由于洪宇;汪青;卢宏浩;陶文川;马晓伟设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓基p沟道器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种氮化镓基p沟道器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供最外层为p型GaN层的外延结构；于p型GaN层表面涂覆掺Mg的SOG溶液，获得中间体；对中间体进行退火处理，以在p型GaN层的表面形成掺杂区域和除掺杂区域外的非掺杂区域；于掺杂区域对应的至少部分表面形成间隔的源极、漏极和欧姆栅极；于非掺杂区域对应的部分表面形成肖特基栅极，肖特基栅极和欧姆栅极相互接触形成混合栅极，混合栅极设置在源极和漏极之间。该制备方法在无刻蚀损伤、不引入额外复杂工艺的前提下，对源极、漏极和欧姆栅极同时处理，实现低阻值源、漏欧姆接触电极制备，同时形成混合栅极结构，可有效提升器件的性能。
本发明授权氮化镓基p沟道器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基p沟道器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供最外层为p型GaN层的外延结构； 于所述p型GaN层的表面涂覆掺Mg的SOG溶液，获得中间体； 对所述中间体进行退火处理，以在所述p型GaN层的表面形成掺杂Mg的掺杂区域和除所述掺杂区域外的非掺杂区域； 于所述掺杂区域对应的至少部分表面形成间隔设置的源极、漏极和欧姆栅极； 于所述非掺杂区域对应的部分表面形成肖特基栅极，所述肖特基栅极和所述欧姆栅极相互接触形成混合栅极，且所述混合栅极设置在所述源极和所述漏极之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南方科技大学，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励