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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348022.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件是由陈伟中;陈泽生;邓志杰;肖宇凡;周扬淇设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双辅助栅的SiCMOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件中集成了栅极辅助沟槽栅、源极辅助沟槽栅，并设置P‑connect区，形成了受栅极辅助沟槽栅调控的P型势垒区。在器件正向导通时，栅极辅助沟槽栅和源极辅助沟槽栅共同将P型势垒区中的P‑connect耗尽夹断，断开P+源区与P‑well的连接，使P‑well浮空，降低了比导通电阻；在阻断状态时，P‑connect未被夹断，P‑well与P+源区之间势垒几乎为0，形成良好接地。在器件反向续流时，源极辅助沟槽栅旁引入了低势垒的反向导通沟道，通过该反向导通沟道对体二极管的抑制作用消除了双极退化效应，提高了器件的反向恢复速率。

本发明授权一种具有双辅助栅的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有双辅助栅的SiCMOSFET器件，其特征在于，该器件包括： 形成于衬底表面的漂移区； 形成于所述漂移区表面的N-CSL； 形成于所述N-CSL表面的P-base； 形成于所述N-CSL表面且分布在所述P-base两侧的第一P-well和第二P-well； 形成于所述第一P-well表面的源极辅助沟槽栅和栅极辅助沟槽栅； 形成于所述第一P-well表面且位于所述源极辅助沟槽栅和栅极辅助沟槽栅之间的势垒开关，该势垒开关由所述源极辅助沟槽栅和栅极辅助沟槽栅控制，用于调控所述第一P-well的浮空或接地；所述势垒开关包括P-connect和第一源极P+区；所述P-connect形成于所述第一P-well表面，所述第一源极P+区形成于所述P-connect表面； 形成于所述N-CSL和第二P-well表面的栅极沟槽栅； 形成于所述N-CSL表面且位于所述栅极辅助沟槽栅和栅极沟槽栅之间的P-base； 形成于所述P-base表面的第一源极N+区和第二源极P+区； 分别形成于所述P-base和第二P-well表面的第二源极N+区，且所述第二源极N+区分布在所述栅极沟槽栅的两侧。

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