清纯半导体(宁波)有限公司修德琦获国家专利权
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龙图腾网获悉清纯半导体(宁波)有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510063520.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权半导体结构及其制备方法是由修德琦;杨璐维;孙博韬设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底层；N型的漂移层，漂移层包括有源区、终端区和过渡区；P型的主结，位于终端区中；位于过渡区中的P型的第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度小于主结的掺杂浓度；栅极结构，包括：栅介质层和栅极层，栅介质层包括第一部分、第二部分和第三部分，第二部分在有源区至终端区的方向上位于第一部分和第三部分之间，第二部分分别连接第一部分和第三部分，第一部分位于有源区上，第二部分位于过渡区上，栅极层底部的第二部分覆盖第一掺杂区，第三部分位于所述主结上，所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底层； N型的漂移层，所述漂移层包括有源区、终端区和位于所述有源区和所述终端区之间的过渡区； P型的主结，位于所述漂移层的终端区中； 位于所述过渡区中的P型的第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述主结的掺杂浓度； 栅极结构，位于所述漂移层背离所述衬底层的一侧；其中，所述栅极结构包括：栅介质层和位于所述栅介质层背离所述漂移层一侧的栅极层，所述栅介质层包括第一部分、第二部分和第三部分，第二部分在有源区至终端区的方向上位于第一部分和第三部分之间，第二部分分别连接第一部分和第三部分，所述第一部分位于所述有源区上，所述第二部分位于所述过渡区上，所述栅极层底部的第二部分覆盖所述第一掺杂区，所述第三部分位于所述主结上，所述第三部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
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