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龙图腾网获悉常州维普半导体设备有限公司申请的专利掩模表面颗粒缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120009306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510082672.X，技术领域涉及：G01N21/956；该发明授权掩模表面颗粒缺陷检测方法是由刘鹏成;刘建明;曾献彬设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模表面颗粒缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了掩模表面颗粒缺陷检测方法，方法的步骤中含有：S1：将透射光下采集的透射光图像作为检测图像，反射光下采集的反射光图像作为屏蔽信号检测透射光下掩模的缺陷；其中，步骤S1具体为：S11：初始化缺陷结果矩阵C；S12：对透射光采集掩模的透射光图像位移N个像素，得位移后透射光图像，对位移后透射光图像和原透射光图像求灰度差，得透射差值图；S13：对反射光采集掩模的反射光图像反色，得反色后反射光图像；S14：对反色后反射光图像位移N个像素，得位移后反射光图像，对位移后反射光图像和反色后反射光图像求灰度差，得反射差值图。通过该方法可以不需要提供掩模设计文件，并提高检测效果。

本发明授权掩模表面颗粒缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.掩模表面颗粒缺陷检测方法，其特征在于，方法的步骤中含有：S1：将透射光下采集的透射光图像作为检测图像，反射光下采集的反射光图像作为屏蔽信号检测透射光下掩模的缺陷；其中，步骤S1具体为： S11：初始化缺陷结果矩阵C； S12：对透射光采集掩模的透射光图像位移N个像素，得位移后透射光图像，对位移后透射光图像和原透射光图像求灰度差，得透射差值图； S13：对反射光采集掩模的反射光图像反色，得反色后反射光图像； S14：对反色后反射光图像位移N个像素，得位移后反射光图像，对位移后反射光图像和反色后反射光图像求灰度差，得反射差值图； S15：对透射差值图设置一透射灰度阈值，遍历透射差值图中每一位置的像素点，当相应位置的像素点的灰度差绝对值＜透射灰度阈值时，认为相应位置的像素点无差异，并置此处透射灰度差极性值为0；当相应位置像素点的灰度差绝对值≥透射灰度阈值时，则认为相应位置的像素点存在差异，并接着对相应位置像素点的灰度差进行极性判断：当灰度差大于0，则置此处透射灰度差极性值为1，当灰度差小于0，则置此处透射灰度差极性值为-1； S16：对反射差值图设置一反射灰度阈值，遍历反射差值图中每一位置的像素点，当相应位置的像素点的灰度差绝对值＜反射灰度阈值时，认为相应位置的像素点无差异，并置此处反射灰度差极性值为0；当相应位置像素点的灰度差绝对值≥反射灰度阈值时，则认为相应位置的像素点存在差异，并接着对相应位置像素点的灰度差进行极性判断：当灰度差大于0，则置此处反射灰度差极性值为1，当灰度差小于0，则置此处反射灰度差极性值为-1； S17：当透射差值图中相应位置的像素点的灰度差绝对值＜透射灰度阈值时，则置缺陷结果矩阵C中相应位置的像素点的缺陷结果值为代表无缺陷的第一标记值，当透射差值图中相应位置像素点的灰度差绝对值≥透射灰度阈值、反射差值图中相应位置像素点的灰度差绝对值≥反射灰度阈值时，如果透射差值图中相应位置像素点的透射灰度差极性值和反射差值图中邻域位置像素点的反射灰度差极性值相同，则置缺陷结果矩阵C中相应位置的像素点的缺陷结果值为代表无缺陷的无缺陷标记值，如果透射差值图中相应位置像素点的透射灰度差极性值和反射差值图中邻域位置像素点的反射灰度差极性值不相同则置缺陷结果矩阵C中相应位置的像素点的缺陷结果值为代表有缺陷的缺陷标记值。

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