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电子科技大学张铁笛获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于电流镜的数字化开关电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120017025B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510088657.6,技术领域涉及:H03K17/16;该发明授权基于电流镜的数字化开关电路是由张铁笛;艾宇设计研发完成,并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

基于电流镜的数字化开关电路在说明书摘要公布了:本发明公开一种基于电流镜的数字化开关电路,应用于通信领域,针对现有放大器开关切换方案,需要额外的偏置电路为放大器提供偏置电压,且当工艺及温度等偏差出现时,偏置电压往往会产生偏差,导致放大器偏离静态工作点,电路性能恶化的问题;本发明结合了电流镜与晶体管开关,实现了在收发通道切换时,对不处于工作状态的放大器进行有效关断,同时根据放大器的静态工作点,为放大器提供栅极偏置电压。针对工艺及温度等偏差出现时,通过调整开关的通路,从而调整放大器漏极电流的大小,进而对放大器增益实现控制,大大提升了放大器抵抗干扰的能力。

本发明授权基于电流镜的数字化开关电路在权利要求书中公布了:1.基于电流镜的数字化开关电路,其特征在于,包括:晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10; 晶体管M1栅极与晶体管M6栅极连接,晶体管M1漏极与晶体管M2漏极连接,晶体管M1漏极还与晶体管M6漏极连接,晶体管M6源极接地;晶体管M2栅极与晶体管M2漏极连接,晶体管M2栅极与晶体管M3栅极连接,晶体管M3漏极与晶体管M9漏极连接,晶体管M4栅极与晶体管M2栅极连接,晶体管M4漏极与晶体管M7源极连接,晶体管M7漏极与晶体管M9漏极连接,晶体管M5栅极与晶体管M2栅极连接,晶体管M5漏极与晶体管M8源极连接,晶体管M8漏极与晶体管M9漏极连接;晶体管M1源极、晶体管M2源极、晶体管M3源极、晶体管M4源极、晶体管M5源极均与VDD连接; 晶体管M7栅极与晶体管M8栅极分别与各自控制电压连接; 晶体管M9漏极与栅极连接,晶体管M9源极与晶体管M10源极接地,晶体管M10漏极与晶体管M9栅极连接,电容第一端与晶体管M9栅极连接,电容第二端接地;晶体管M10栅极连接的控制电压为晶体管M1栅极连接的控制电压经反相器后的电压; 晶体管M9栅极输出的电压作为放大器电路的偏置电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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