重庆邮电大学高升获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510176774.8，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件是由高升;池天宇;罗兴雨;吴艳君;李萱设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaNHEMT器件，属于半导体技术领域。该器件自下而上包括缓冲层、势垒层、钝化层、源极、栅极和漏极，还包括一个梳状通道结构，其中梳状通道结构位于漏极左侧，势垒层上方，且在漏极与势垒层之间存在阻隔层。本发明通过在漏极左侧引入梳状n型AlGaN通道，并用阻隔层将漏极与势垒层隔开；单粒子入射后产生的大量载流子可通过该梳状n型AlGaN通道进行泄流，不仅调制了漏极附近的电场，而且漏极附近的高压转由阻隔层承受，大大降低了单粒子入射后在漏极靠栅极一侧形成的高场，减少载流子在漏极附近的碰撞电离率与器件内部的瞬态电流，提高了器件的单粒子烧毁电压。
本发明授权一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有梳状通道结构的抗单粒子GaNHEMT器件，自下而上包括缓冲层、势垒层和钝化层，所述势垒层上方的钝化层中形成有源极、漏极和P-GaN层，所述P-GaN层上方形成有栅极，其特征在于，所述漏极和势垒层之间通过一阻隔层隔开，在所述漏极左侧的钝化层中设置一梳状n型AlGaN通道，且该梳状n型AlGaN通道与所述漏极接触；所述梳状n型AlGaN通道下方采用嵌入层隔开，且该梳状n型AlGaN通道下方与所述势垒层接触。
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