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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510184267.9，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法是由凌海峰;张泓鑫;明建宇设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术、生物薄膜技术和神经形态计算领域，公开了一种于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法，包括：步骤1配置聚合物溶液；步骤2基片预处理；步骤3在基片上使用聚合物溶液进行旋涂；步骤4制备具有纳米孔结构的纳米孔聚合物薄膜层；步骤5真空蒸镀得到小分子阻变层薄膜；步骤6蒸镀顶电极；步骤7将顶电极冷却至室温取出即可获得基于纳米孔结构的可重构忆阻器单个器件。本发明利用聚合物薄膜层的纳米孔结构为离子的迁移提供快速通道，通过改变小分子阻变层薄膜的厚度，实现该忆阻器在阻变存储器和动态忆阻器之间的转换，使忆阻器能够同时具备阻变存储器高效信息存储的优势和动态忆阻器模拟树突非线性整合功能的优势。

本发明授权一种基于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米孔结构的可重构忆阻器的制备方法，在底电极上制备纳米孔聚合物薄膜层，在纳米孔聚合物薄膜层上制备小分子阻变层，最终在小分子阻变层上制备顶电极，其特征在于：所述可重构忆阻器的制备方法具体包括如下步骤： 步骤1、配置低介电常数材料聚合物溶液，对聚合物溶液进行预处理，得到完全分散均匀的聚合物溶液； 步骤2、基片预处理：选择基片，清洗干净基片后烘干，将烘干后的基片使用紫外臭氧处理； 步骤3、在经过步骤2处理后的基片上使用聚合物溶液利用溶液旋涂法进行旋涂，旋涂仪转速为高速6000转分钟持续30秒； 步骤4、对步骤3旋涂好的样品在真空干燥箱中进行低温退火处理得到具有纳米孔结构的纳米孔聚合物薄膜层，其中，低温退火温度为80℃，退火时间为30分钟 步骤5、将涂覆纳米孔聚合物薄膜层的基片放入真空蒸发镀膜系统的镀膜腔室内，采用石英晶振分别控制纳米孔聚合物薄膜层的厚度；待真空蒸镀结束后，使其冷却至室温得到小分子阻变层薄膜； 步骤6、将步骤5中的基片取出，等待腔内真空度低于4.5×10-4pa之后，开始蒸镀顶电极，由于纳米孔的自模板化作用，使得顶电极具有纳米孔结构； 步骤7、步骤6蒸镀顶电极结束后，将步骤6的顶电极置于真空度低于4.5×10-4pa的环境中冷却至室温取出，即可获得基于纳米孔结构的可重构忆阻器单个器件。

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