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龙图腾网获悉江苏卓胜微电子股份有限公司申请的专利电容器的制作方法、电容器以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120021015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311539349.8，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权电容器的制作方法、电容器以及半导体器件是由董健设计研发完成，并于2023-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器的制作方法、电容器以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种电容器的制作方法、电容器以及半导体器件。该方法包括：提供基底，并在其上依次叠置第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，得到电容结构，目标金属层的材料包括活泼金属，目标金属层包括第一金属层以及第二金属层中至少之一；至少在电容结构的裸露表面上形成第一介质层，并至少去除部分的第一介质层，形成使得第一金属层的第一部分表面裸露的第一沟槽和使得第二金属层的部分表面裸露的第二沟槽，目标金属层的包括裸露表面的部分被氧化为氧化层；在预定环境下，采用包括还原气体的预定气体对氧化层进行还原，并至少在还原后的目标金属层的裸露表面上形成保护层；在第一沟槽和第二沟槽中填充金属材料，得到引线结构。

本发明授权电容器的制作方法、电容器以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电容器的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，并在所述基底的裸露表面上依次叠置第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，得到电容结构，其中，目标金属层的材料包括活泼金属，所述目标金属层包括所述第一金属层以及所述第二金属层中至少之一，所述第二金属层在所述第一金属层上的投影覆盖所述第一金属层的部分表面； 至少在所述电容结构的裸露表面上形成第一介质层，并至少去除部分的所述第一介质层，形成使得所述第一金属层的第一部分表面裸露的第一沟槽和使得所述第二金属层的部分表面裸露的第二沟槽，所述第一部分表面为未被所述第二金属层覆盖的部分，所述目标金属层的包括裸露表面的部分被氧化为氧化层； 在预定环境下，采用包括还原气体的预定气体对所述氧化层进行还原，并至少在还原后的所述目标金属层的裸露表面上形成保护层，得到中间结构，所述预定环境不含可氧化所述目标金属层的气体； 在所述中间结构的所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充金属材料，得到引线结构， 在所述基底的裸露表面上依次叠置第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，得到电容结构，包括： 在所述基底的部分裸露表面上依次叠置第一金属氮化物子层、第一活泼金属材料子层以及第二金属氮化物子层，得到所述第一金属层； 在所述第一金属层以及所述基底的裸露表面上形成所述第一绝缘层； 在所述第一绝缘层的第二部分表面上依次叠置第三金属氮化物子层、第二活泼金属材料子层和第四金属氮化物子层，得到所述第二金属层，所述第二部分表面在所述基底上的投影与所述第一金属层在所述基底上的投影交叠。

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