深圳技术大学李惠获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113408.8，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构及其制作方法是由李惠;谢锦聪;冯健;钟础宇;邓舒鹏;丁时浩;卢金龙;李楠楠;潘绍迟;邱振寰;苗威;张幸设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构及其制作方法，激光器包括：自下而上依次设置有衬底层、下层N型DBR、有源区、非对称氧化限制层、space层、上层P型DBR、表面浮雕结构；所述衬底层、所述下层N型DBR构成第一偏椭圆柱体；所述有源区、所述非对称氧化限制层、所述space层构成第二偏椭圆柱体；所述上层P型DBR、所述表面浮雕结构构成第三偏椭圆柱体；负电极设置于所述第一偏椭圆柱体的长轴两端；正电极设置于所述第二偏椭圆柱体的短轴两端；所述负电极和所述正电极构成intra‑cavity非对称电极结构。本发明提高了器件的电流注入效率、光耦合效率、单模稳定性以及对器件输出波长的控制性。
本发明授权一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种单模高功率的垂直腔面发射激光器结构，其特征在于，包括： 自下而上依次设置有衬底层、下层N型DBR、有源区、非对称氧化限制层、space层、上层P型DBR、表面浮雕结构； 其中，所述衬底层、所述下层N型DBR构成第一偏椭圆柱体；所述有源区、所述非对称氧化限制层、所述space层构成第二偏椭圆柱体；所述上层P型DBR、所述表面浮雕结构构成第三偏椭圆柱体； 负电极设置于所述第一偏椭圆柱体的长轴两端；正电极设置于所述第二偏椭圆柱体的短轴两端；所述负电极和所述正电极构成intra-cavity非对称电极结构； 所述第一偏椭圆柱体、所述第二偏椭圆柱体、所述第三偏椭圆柱体均由两个短轴相同、长轴不同的椭圆组合而成，且设计为同轴椭圆柱体； 所述非对称氧化限制层由两个短轴相同、长轴不同的椭圆组合而成。
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