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龙图腾网获悉成都屿西半导体科技有限公司申请的专利一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120034134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510517912.4，技术领域涉及：H03F1/56；该发明授权一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片是由刘学利;邱建强;武继斌设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片，属于射频及微波集成电路技术领域。采用两级级联放大结构，包括输入端、输入匹配网络、第一级放大网络、级间匹配网络、第二级放大网络、输出匹配网络、输出端及偏置与稳定电路。级间匹配网络集成功分、栅极偏置馈电、稳定性设计及级间阻抗匹配功能，输出匹配网络集成功率合成、漏极偏置馈电及输出阻抗匹配功能，第二级放大网络采用多个GaN管芯并联。通过功能集成减少独立元件与布线空间，显著缩小芯片尺寸；优化信号放大链路与能量传输路径，提升宽频带内输出功率与效率；结合稳定电路与对称布局设计，增强芯片在宽工作频段内的稳定性与可靠性，满足通信系统对高集成度、高性能功率放大器的需求。

本发明授权一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型高功率高效率GaN功放芯片，其特征在于，包括：两级级联放大结构，具体组成为： 输入端，用于输入射频信号； 输入匹配网络，连接于所述输入端与第一级放大网络之间，用于将第一级GaN管芯的输入阻抗匹配至50Ω源阻抗； 第一级放大网络，包含单个GaN管芯，用于对输入信号进行第一次放大； 级间匹配网络，连接于所述第一级放大网络与第二级放大网络之间，用于将第一级管芯的输出阻抗匹配至第二级管芯的输入阻抗； 第二级放大网络，包含多个并联的GaN管芯，用于对信号进行第二次放大； 输出匹配网络，连接于所述第二级放大网络与输出端之间，用于将第二级管芯的输出阻抗匹配至50Ω负载阻抗； 栅极偏置电路，与所述第一级放大网络和第二级放大网络的GaN管芯栅极连接，用于提供栅极直流馈电； 漏极偏置电路，与所述第一级放大网络和第二级放大网络的GaN管芯漏极连接，用于提供漏极直流馈电； 稳定电路，串联于所述输入匹配网络与第一级放大网络之间； 所述级间匹配网络包括功分结构、多路匹配单元和两个第二电阻R2；每路匹配单元包括第一微带线L1、第一电阻R1和匹配电容C1； 所述功分结构，输入端与所述第一级放大网络的输出端连接，每个输出端分别与一路匹配单元和所述第二级放大网络中的一个GaN管芯的栅极连接，用于将第一级GaN管芯的输出信号均分为与第二级放大网络中GaN管芯数量对应的多路信号； 每路匹配单元均设置在所述功分结构的一个输出端所在方向的垂直方向，且每路匹配单元中的所述第一微带线L1的一端与所述第二级放大网络中一个GaN管芯的栅极连接，所述第一微带线L1的另一端与所述第一电阻R1的一端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述匹配电容C1的一端连接，所述匹配电容C1的另一端接地； 当某路匹配单元为所述第二级放大网络中从上到下第一个GaN管芯或最后一个GaN管芯对应的匹配单元时，所述第一电阻R1的另一端还与所述第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端连接所述第二级放大网络对应的栅极偏置电路； 所述第二级放大网络对应的所述栅极偏置电路包括第二微带线L2和旁路电容C2； 所述第二微带线L2的一端与所述第二电阻R2的另一端连接，所述第二微带线L2的另一端与所述旁路电容C2的一端连接，所述旁路电容C2的另一端接地。

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