广州增芯科技有限公司汪维金获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利NMOS器件结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510133828.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权NMOS器件结构及其形成方法是由汪维金;邱楚濠;孟雅楠;何丽美;李享设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本NMOS器件结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种NMOS器件结构及其形成方法，器件包括：SOI衬底，SOI衬底包括顶硅层，顶硅层内分布源区、漏区和体接触区，源区和漏区沿第一方向排布，体接触区至少位于源区、以及源区和漏区之间的顶硅层沿第二方向的一侧，第一方向垂直于第二方向；第一隔离结构，至少位于源区和漏区之间的顶硅层与体接触区之间并贯穿所述顶硅层，且第一隔离结构与栅极结构部分重叠，第一隔离结构沿第一方向的两端分别为第一隔离端和第二隔离端，第一隔离端位于源区和漏区之间，第二隔离端在第一方向上齐平于或超出体接触区的边界；栅极结构，位于顶硅层的表面，源区和漏区分别位于栅极结构的两侧，且第一隔离结构与栅极结构部分重叠。以减少寄生电容且浮体效应抑制效果好。
本发明授权NMOS器件结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种NMOS器件结构，其特征在于，包括： SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层内分布源区、漏区和体接触区，所述源区和所述漏区沿第一方向排布，所述体接触区至少位于所述源区、以及所述源区和所述漏区之间的顶硅层沿第二方向的一侧，所述第一方向垂直于所述第二方向； 第一隔离结构，位于所述源区和所述漏区之间的顶硅层与所述体接触区之间，并贯穿所述顶硅层，所述第一隔离结构沿所述第一方向的两端分别为第一隔离端和第二隔离端，所述第一隔离端相比所述第二隔离端靠近所述源区，并且，所述第一隔离端位于所述源区和所述漏区之间，所述第二隔离端在所述第一方向上齐平于或超出所述体接触区的边界； 栅极结构，位于所述顶硅层的表面，所述源区和所述漏区分别位于所述栅极结构的两侧，且所述第一隔离结构与所述栅极结构部分重叠。
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