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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种逻辑芯片、存储芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311543580.4，技术领域涉及：G11C29/44；该发明授权一种逻辑芯片、存储芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种逻辑芯片、存储芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种逻辑芯片、存储芯片、芯片堆叠结构和存储器，逻辑芯片具有多个通道信号区域，其中的导电通孔被划分为多个修复单元组，每一修复单元组中包括4个修复单元，第一修复单元和第二修复单元沿第一轴线对称，第三修复单元和第四修复单元沿第一轴线对称，第一修复单元和第四修复单元沿第二轴线对称。

本发明授权一种逻辑芯片、存储芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种逻辑芯片，其特征在于，所述逻辑芯片包括沿第一方向依次排列的m个通道信号区域，所述逻辑芯片具有沿第二方向延伸的且穿过所述逻辑芯片的中心的芯片轴线，m个所述通道信号区域关于所述芯片轴线对称；m为正整数； 每一所述通道信号区域具有第一轴线和第二轴线，所述第一轴线沿所述第一方向或者所述第二方向延伸，所述第二轴线和所述第一轴线互相垂直且相交于所属通道信号区域的中心； 每一所述通道信号区域沿第三方向被多个导电通孔贯穿，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直，所述第一方向和所述第二方向平行于所述逻辑芯片的顶表面，所述第三方向垂直于所述逻辑芯片的顶表面；对于每一所述通道信号区域，其中的多个导电通孔被划分为多个修复单元组； 每一所述修复单元组均包括第一修复单元、第二修复单元、第三修复单元和第四修复单元；所述第一修复单元和所述第二修复单元沿所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第三修复单元和所述第四修复单元沿所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第一修复单元和所述第四修复单元沿所属通道信号区域的第二轴线对称； 每一所述修复单元均包括至少一个冗余导电通孔和至少一个正常导电通孔，在任一所述正常导电通孔损坏时，所述正常导电通孔所传输的有效信号沿预设信切换方向切换至同一所述修复单元中的下一导电通孔；任一所述修复单元中的任一导电通孔在用于传输有效信号时电连接至所述逻辑芯片的内部电路； 所述第一修复单元中的正常导电通孔和所述第二修复单元中的正常导电通孔一一对应且沿所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第三修复单元中的正常导电通孔和所述第四修复单元中的正常导电通孔一一对应且沿所属通道信号区域的第一轴线对称，所述第一修复单元中的正常导电通孔和所述第四修复单元中的正常导电通孔一一对应且沿所属通道信号区域的第二轴线对称。

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