吉林大学陈念科获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164702.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料是由陈念科;马明钰;王丹;黄宇婷;李贤斌设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料在说明书摘要公布了：本申请提供一种二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料，涉及二维忆阻材料技术领域，方法包括：根据二维材料的物理化学属性获取二维极性半导体材料；在二维极性半导体材料中制造缺陷以得到缺陷材料；计算缺陷的第一形成能，并在第一形成能小于形成能阈值时计算缺陷的第一电离能；在第一电离能小于电离能阈值时对缺陷材料进行极化翻转操作，以改变缺陷材料的导电性质；计算极化翻转后缺陷的第二电离能，以计算第一电离能与第二电离能的差值；将差值大于差值阈值的二维极性半导体材料作为二维忆阻材料。只需计算不同缺陷的形成能和电离能，就可筛选出本身具有阻变性质的二维忆阻材料，可提高材料筛选效率，解决二维忆阻材料筛选困难的问题。
本发明授权二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料在权利要求书中公布了：1.一种二维忆阻材料筛选方法，其特征在于，包括： 根据二维材料的物理化学属性获取二维极性半导体材料，所述二维极性半导体材料为具有极化特性的材料； 在所述二维极性半导体材料中制造缺陷，以得到缺陷材料； 计算所述缺陷的第一形成能，并在所述第一形成能小于形成能阈值时，计算所述缺陷的第一电离能； 在所述第一电离能小于电离能阈值时，对所述缺陷材料进行极化翻转操作，以改变所述缺陷材料的导电性质； 计算极化翻转后所述缺陷的第二电离能，以计算所述第一电离能与所述第二电离能的差值； 将所述差值大于差值阈值的所述二维极性半导体材料作为所述二维忆阻材料。
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