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龙图腾网获悉广州华瑞升阳投资有限公司申请的专利一种磁芯制造方法及磁件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311597243.3，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种磁芯制造方法及磁件是由郭铭;梁明龙;蓝海鑫设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁芯制造方法及磁件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁芯制造方法及磁件，磁芯制造方法包括：在半导体基材的上表面涂覆第一遮挡层；开设垂直贯穿第一遮挡层的第一沟槽，半导体基材上形成第一裸露区域；在第一遮挡层、第一裸露区域上表面设置第一导电层，然后去除第一遮挡层及其上表面的第一导电层，使得半导体基材上形成第二裸露区域；在第一导电层、第二裸露区域上表面涂覆第二遮挡层，第二遮挡层分为位于第一导电层上表面的第一部分、位于第二裸露区域上表面的第二部分；在第二遮挡层第一部分之上开设贯穿第二遮挡层的第二沟槽，使得第一导电层上形成第三裸露区域；在第三裸露区域上表面设置磁薄膜层；去除第二遮挡层中剩余的第二部分。本发明能避免湿法腐蚀图案化缺陷。

本发明授权一种磁芯制造方法及磁件在权利要求书中公布了：1.一种磁芯制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一遮挡层涂覆步骤，在半导体基材的上表面涂覆第一遮挡层； 第一沟槽开设步骤，在所述第一遮挡层上开设垂直贯穿所述第一遮挡层的第一沟槽，使得所述半导体基材上形成第一裸露区域； 第一导电层设置步骤，在所述第一遮挡层上表面及所述第一裸露区域上表面设置第一导电层，然后去除所述第一遮挡层及其上表面的第一导电层，使得只有第一沟槽上留有所述第一导电层，所述半导体基材上形成第二裸露区域，从而得到图案化的第一导电层； 第二遮挡层涂覆步骤，在所述第一导电层上表面及所述第二裸露区域上表面涂覆第二遮挡层，所述第二遮挡层分为位于所述第一导电层上表面的第一部分以及位于所述第二裸露区域上表面的第二部分； 第二沟槽开设步骤，在所述第二遮挡层的第一部分之上开设贯穿所述第二遮挡层的第二沟槽，使得所述第一导电层上需要设置磁薄膜层的部分形成第三裸露区域，且所述第二遮挡层剩余的第二部分对不需要设置磁薄膜层但需要导电的区域形成遮蔽； 磁薄膜层设置步骤，在所述第二沟槽的沟道状通槽之内形成的所述第三裸露区域上表面设置磁薄膜层； 第二遮挡层去除步骤，去除所述第二遮挡层中剩余的第二部分，从而以只在完成图案化的第一导电层之上设置磁薄膜层，使的所述磁薄膜层直接在所述第一导电层上表面完成图案化的方式制得磁芯。

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