青岛澳柯玛云联信息技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311561013.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，将现有技术中在形成PMOS区的锗硅源漏之后打开NMOS区的第二硬掩膜层的步骤，调整到用于形成PMOS区的锗硅源漏的光刻工艺之前，并采用化学机械抛光CMP的方法一道去除NMOS区和PMOS区的栅极顶部上的第二硬掩膜层，可以省去现有技术中在打开NMOS区的第二硬掩膜层时所需的光罩和湿法刻蚀工艺，简化工艺流程，节约光罩成本，而且避免该湿法刻蚀工艺造成NMOS区的衬底表面凹陷的问题，进而提高器件性能。
本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供具有PMOS区和NMOS区的衬底，在所述衬底的表面上形成氧化层、栅极层和第一硬掩膜层，并刻蚀所述第一硬掩膜层和栅极层，以在所述PMOS区和NMOS区上形成栅极； 在各个所述栅极的侧壁上形成栅极侧墙，并保形地依次沉积接触刻蚀停止层和第二硬掩膜层于所述氧化层、所述栅极侧墙和所述第一硬掩膜层上； 沉积牺牲介质层于所述第二硬掩膜层上，并对所述牺牲介质层进行化学机械抛光，以去除所述第一硬掩膜层顶部上的第二硬掩膜层； 采用第一湿法工艺去除所述牺牲介质层； 形成图案化光刻胶层以保护所述NMOS区，并以所述图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述PMOS区上的第二硬掩膜层、接触刻蚀停止层和衬底，以在所述PMOS区的栅极两侧的衬底中形成源漏沟槽； 去除所述图案化光刻胶层，并采用锗硅外延生长工艺在所述源漏沟槽中形成锗硅源漏； 采用第二湿法工艺去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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