中国科学院半导体研究所赵德刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氮化铝真空探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183443.7，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权氮化铝真空探测器及其制备方法是由赵德刚;赵全普;孙兆兰;杨静;梁锋;侯玉菲;杨倩;刘宗顺;陈平设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化铝真空探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化铝真空探测器，可应用于半导体及光电子材料技术领域，该真空探测器包括：蓝宝石衬底；氮化铝外延层，氮化铝外延层位于衬底上，其中，氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在氮化铝外延层表面的投影不完全覆盖其表面；第一电极，位于氮化铝外延层包含硅原子的区域表面；以及第二电极，位于氮化铝外延层不包含硅原子的区域表面。通过在氮化铝外延层中局部注入高浓度硅杂质，使得氮化铝外延层与第一电极形成良好的欧姆接触，而第二电极与氮化铝外延层形成肖特基接触，构建出相对MSM结构探测器响应更快且无需加较高偏压的肖特基结探测器。
本发明授权氮化铝真空探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝真空探测器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底的材料为蓝宝石衬底； 氮化铝外延层，所述氮化铝外延层包含第一表面和第二表面，所述第一表面位于所述衬底上，其中，所述氮化铝外延层的局部区域包含硅原子，包含硅原子的区域在所述第一表面和所述第二表面的投影不完全覆盖所述第一表面和所述第二表面； 第一电极，位于所述第二表面上，且位于包含硅原子的区域在所述第二表面的投影区域；以及 第二电极，位于所述第二表面上，且不位于包含硅原子的区域在所述第二表面的投影区域。
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