江西汉可泛半导体技术有限公司黄海宾获国家专利权
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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120060815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510266382.0，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法是由黄海宾;刘翠翠设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法，包括：将热丝采用小电流进行预热；在不通入氨气的情况下，将小电流增大至大电流，使热丝温度快速上升至高于1950℃；保持热丝采用大电流加热，控制反应腔室内的压力，并通入硅烷和氨气进行氮化硅的沉积；延续热丝大电流加热状态，并对反应腔室不控压；将热丝的大电流调低至小电流进行缓冲。本发明能够有效抑制热丝电阻上升，并且成功地维持了工艺的高可重复性。本发明在关键节点对热丝温度进行精准控制，避免了热丝低温阶段氮原子向热丝内部的扩散，热丝电阻上升速率相比优化前的工艺大大降低，极大延长了热丝寿命，减少了设备停机维护次数。
本发明授权一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高HoFCVD设备沉积氮化硅时热丝寿命的方法，其特征在于，包括： 将热丝采用小电流进行预热； 在不通入氨气的情况下，将小电流增大至大电流，使热丝温度快速上升至高于1950℃； 保持热丝采用大电流加热，控制反应腔室内的压力在1-1.5Pa，并通入硅烷和氨气进行氮化硅的沉积，硅烷的流量为50-60sccm，氨气的流量为500-600sccm； 延续热丝大电流加热状态，并对反应腔室不控压； 将热丝的大电流调低至小电流进行缓冲； 其中，所述小电流是6-8A，所述大电流是30-36A。
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