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龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411759110.6，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构及制备方法是由於少林;孙磊;陆佳顺;吴浩设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构及制备方法，封装结构包括下基板、上基板、芯片、功率叠层端子、驱动信号端子、功率极垫片、信号极垫片、支撑垫片，多个所述驱动信号端子对应各所述芯片烧结固定在下基板上，上基板通过二次回流焊烧结固定在功率极垫片、信号极垫片、支撑垫片上；制备方法包括焊接芯片，定位各端子、垫片及下基板，焊接固定各端子、垫片及下基板，定位下基板和上基板，焊接下基板和上基板。本发明的上述方案，提供了适用小型高功率密度等需求的易于散热、低寄生电感的新型封装技术，且具有更好的稳定性以及可靠性，可降低该封装结构的制备成本，工艺设计合理，良品率高。

本发明授权无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无键合线全垫片互连SiC功率模块封装结构，其特征在于： 所述封装结构包括下基板2、上基板3、芯片1、功率叠层端子4、驱动信号端子5、功率极垫片6、信号极垫片7、支撑垫片8； 所述下基板2、上基板3上通过蚀刻形成有用于构成电流的流通路径的刻蚀沟槽； 所述下基板2的上表面具有多个印刷区域，各所述印刷区域中印刷有印刷层21； 多个所述芯片1对应烧结固定在各所述印刷层21上； 所述功率叠层端子4包括第一功率端子41、第二功率端子42、第三功率端子43，所述第一功率端子41、第二功率端子42为叠层结构，所述第一功率端子41、第二功率端子42各自烧结固定在下基板2、上基板3的同一侧，所述第三功率端子43烧结固定在下基板2的另一侧； 多个所述驱动信号端子5对应各所述芯片1烧结固定在下基板2上； 所述功率极垫片6烧结在芯片1的源极和上基板3的下表面的刻蚀沟槽之间； 所述信号极垫片7烧结在芯片1的驱动极和上基板3的下表面的刻蚀沟槽之间，所述信号极垫片7与芯片1上的栅极、开尔文极电性连接； 所述支撑垫片8为用于支撑所述下基板2、上基板3的支撑结构，所述支撑垫片8位于所述刻蚀沟槽、印刷区域之外的区域，所述支撑垫片8烧结固定在下基板2和上基板3之间； 所述上基板3通过二次回流焊烧结固定在功率极垫片6、信号极垫片7、支撑垫片8上。

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