西安电子科技大学郭可欣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有抗强磁能力的双极型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510191808.0，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种具有抗强磁能力的双极型晶体管是由郭可欣;徐长卿;刘毅;孟凡鑫;廖进福设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗强磁能力的双极型晶体管在说明书摘要公布了：本申请公开了本申请提供一种具有抗强磁能力的新型双极型晶体管、控制芯片和晶体管制造方法，通过P型衬底、N型埋层，以及三个第一STI区、第二STI区、有源区和N型深阱；三个第一STI区域均并列设于N型埋层远离P型衬底的一侧；有源区和N型深阱与三个第一STI区间隔沿水平方向排列，且两个第一STI区分别位于所有源区和N型深阱的外围，有源区包括：依次层叠设置的集电极、基极，以及位于基极远离集电极一侧的第二STI区和发射极，第二STI区位于发射极和外围的第一STI区之间，发射极与基极的交界面形成BE结；有效提高了晶体管在不同频率的强磁场环境中的放大倍数稳定性和抗磁干扰能力。
本发明授权一种具有抗强磁能力的双极型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有抗强磁能力的双极型晶体管，其特征在于，包括： 依次层叠设置的P型衬底、N型埋层，以及层叠设置于所述N型埋层远离所述P型衬底一侧的三个第一STI区、第二STI区、有源区和N型深阱； 三个所述第一STI区域均并列设于所述N型埋层远离所述P型衬底的一侧； 所述有源区和所述N型深阱与三个所述第一STI区间隔沿水平方向排列，且最外侧的两个所述第一STI区分别位于所述有源区和所述N型深阱的外围，其中，所述水平方向与层叠的方向垂直； 所述有源区包括： 依次层叠设置的集电极、基极，以及位于所述基极远离所述集电极一侧的所述第二STI区和发射极，所述第二STI区位于所述发射极和有源区外围的所述第一STI区之间，所述发射极与所述基极的交界面形成BE结； 其中，三个所述第一STI区的深度大于所述有源区和所述N型深阱的深度； 所述第二STI区的深度大于所述BE结的深度。
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