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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120090041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099121.4，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路是由李阳;李川川;韦欣设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路，属于电子电路技术领域。该电路包括：至少一个超级电容，其为垂直腔面发射激光器供电；电流控制与采样线路，其控制垂直腔面发射激光器的电流流通和关闭，同时通过其对超级电容的放电电流进行采样和监测，电流控制与采样线路与垂直腔面发射激光器和超级电容串联组成激光器放电回路；充电电路，其通过电流采样点的采样结果动态调节其所输出的电压，进而调节超级电容的电压值。本申请利用超级电容对垂直腔面发射激光器进行供电能够实现毫秒级别长脉冲、大电流的驱动电流输出，同时利用实际应用的占空比限制，降低了电路前端电源的平均功率要求，进而降低成本。

本发明授权一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种基于超级电容的半导体激光器脉冲驱动电路，其特征在于，包括： 至少一个超级电容，其为垂直腔面发射激光器供电； 电流控制与采样线路，通过控制其开关状态控制所述垂直腔面发射激光器的电流流通和关闭，同时其上设有电流采样点，通过所述电流采样点对所述超级电容的放电电流进行采样和监测，所述电流控制与采样线路与所述垂直腔面发射激光器和至少一个所述超级电容串联组成激光器放电回路； 充电电路，其与至少一个所述超级电容的正负极相连接，并对至少一个所述超级电容进行充电，其中，所述充电电路通过所述电流采样点的采样结果动态调节其所输出的电压，进而调节所述超级电容的电压值，以使所述超级电容为所述垂直腔面发射激光器提供恒定的电流； 其中，所述充电电路将至少一个所述超级电容充电至设定电压，并根据电容电压采样点的采样结果和所述垂直腔面发射激光器的驱动电流，调节所述充电电路输出到至少一个所述超级电容的电压，其中，所述电容电压采样点设置在超级电容最外侧；充电电路根据采样电流的大小，调整其对超级电容的充电电压，使放电回路的电流值达到目标设定值。

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