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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种适用于超高电压的全光纤隔离SiC MOSFET栅极驱动器及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120090440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411386001.4，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种适用于超高电压的全光纤隔离SiC MOSFET栅极驱动器及应用是由王来利;吕奕森;丁培洋;陈琪岭;郭佳成;毕蓝天;郭千羽;马定坤;袁天舒;李磊设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于超高电压的全光纤隔离SiC MOSFET栅极驱动器及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及功率电子器件领域，具体为一种适用于超高电压的全光纤隔离SiCMOSFET栅极驱动器及应用，包括依次连接的发射侧、光纤组和接收侧，发射侧包括恒流激光驱动器、半导体光纤耦合激光器、FC接头的光纤耦合器、高速光发射器驱动和光发射器，光纤组包括FC接头的石英功率光纤和塑料信号光纤，接收侧包括扩束镜、激光电池、5V升压IC、25V升压IC、光接收器、非隔离驱动IC和推挽扩流电路，本发明采用功率光纤和信号光纤来传输功率和信号，具有隔离电压理论无穷高，并且消除了由耦合电容带来的共模干扰的巨大优势。同时合理计算器件效率，搭配高效率升压IC，实现了0.8W的驱动功率，足以驱动6.5kV25A高压SiCMOSFET模块工作在100kHz以上的开关频率。

本发明授权一种适用于超高电压的全光纤隔离SiC MOSFET栅极驱动器及应用在权利要求书中公布了：1.一种适用于超高电压的全光纤隔离SiCMOSFET栅极驱动器，其特征在于，包括依次连接的发射侧、光纤组和接收侧，发射侧包括恒流激光驱动器、半导体光纤耦合激光器、FC接头的光纤耦合器、高速光发射器驱动和光发射器，恒流激光驱动器的输入端和高速光发射器驱动的输入端均与外部输出电压连接，恒流激光驱动器的输出端与半导体光纤耦合激光器的输入端连接，半导体光纤耦合激光器的输出端与FC接头的光纤耦合器的输入端连接，高速光发射器驱动的输出端与光发射器的输入端连接； 光纤组包括FC接头的石英功率光纤和塑料信号光纤，石英功率光纤的输入端与FC接头的光纤耦合器的输出端连接，塑料信号光纤的输入端与光发射器的输出端连接； 接收侧包括扩束镜、激光电池、5V升压IC、25V升压IC、光接收器、非隔离驱动IC和推挽扩流电路，石英功率光纤的输出端通过扩束镜与激光电池连接，激光电池的输出端依次连接5V升压IC和25V升压IC，5V升压IC和25V升压IC的输出端均与推挽扩流电路的输入端连接；塑料信号光纤的输出端与光接收器的输入端连接，光接收器的输出端与非隔离驱动IC的输入端连接，非隔离驱动IC的输出端与推挽扩流电路的输入端连接，推挽扩流电路设置有三个输出端口，用于输出功率驱动信号。

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