北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种新型存储阵列结构及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195289.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种新型存储阵列结构及其操作方法是由王宗巍;陈雨杰;蔡一茂;鲍盛誉;黄如设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型存储阵列结构及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型存储阵列结构及其操作方法，属于半导体集成电路技术领域。该新型存储阵列结构包括呈阵列分布的存储单元，每个存储单元由二个串联的1T1R结构构成，所述存储单元共用若干个P型衬底，在P型衬底下方沉积一层深N阱DNW，所有存储单元共用一个深N阱DNW。本发明利用N阱、P型衬底与晶体管漏极间构成的BJT三极管，完成阻变存储单元的RESET操作，在性能不变的情况下放宽了对晶体管最小栅宽的限制，减少晶体管间隔带来的面积浪费，从而有效提高阻变存储器阵列的存储密度；且仅需施加较小的输入信号，即可实现高电流输出，从而在降低功耗的同时，显著提高存储单元的性能和可靠性。
本发明授权一种新型存储阵列结构及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种新型存储阵列结构，其特征在于，包括呈阵列分布的存储单元，每个存储单元包括二个串联的1T1R结构，即包含2个选通晶体管T1、T2和2个二端存储器R1、R2，其中选通晶体管T1的漏极与选通晶体管T2的源极连接，选通晶体管T1的源极连接到源线SL，选通晶体管T1、T2的栅分别连接到字线WL1、WL2，二端存储器R1、R2的一端分别连接到选通晶体管N1、N2的漏极，另一端则分别连接到位线BL1、BL2，所述存储单元共用若干个P型衬底，在P型衬底下方沉积一层深N阱DNW，所有存储单元共用一个深N阱DNW。
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