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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种氢等离子体处理的分区钝化p-GaN桥HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279801.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氢等离子体处理的分区钝化p-GaN桥HEMT器件是由邓高强;骆成涛;谢欣桐;薛刚;毕西豪;李江欢;魏杰;罗小蓉设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氢等离子体处理的分区钝化p-GaN桥HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种氢等离子体处理的分区钝化p‑GaN桥HEMT器件。该结构同时具有高耐压、低动态电阻、高阈值电压、高栅极击穿电压、高阈值电压稳定性等优点。该结构通过氢等离子体钝化处理代替蚀刻技术，可以显著降低AlGaN表面陷阱浓度、提升界面质量，抑制电流崩塌效应和动态电阻退化；从栅极向漂移区延伸的薄层p‑GaN作为有源钝化区，利用电荷平衡机制，提高器件击穿电压；栅极表面钝化后的p‑GaN帽层，能够提高器件阈值电压、栅极击穿电压以及栅极使用寿命；从栅源之间在纵向方向上间隔排布的p‑GaN桥实现了栅极区域“泄放通路”的引入，缓解了栅区的电荷存储效应，实现更高的阈值电压稳定性。

本发明授权一种氢等离子体处理的分区钝化p-GaN桥HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种氢等离子体处理的分区钝化p-GaN桥HEMT器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的衬底层1、成核层2、缓冲层3、GaN沟道层4、势垒层5和高阻GaN材料6；器件表面沿横向方向从左到右依次有第一导电材料7、栅极结构和第三导电材料12；所述栅极结构与第一导电材料7、第三导电材料12之间均有间距；所述第一导电材料7和第三导电材料12从器件表面沿垂直方向向下延伸到GaN沟道层4中并与GaN沟道层4形成欧姆接触，其引出端分别为源电极和漏电极； 其特征在于，所述高阻GaN材料6是由P型GaN材料经过氢等离子体钝化处理后形成的高阻态GaN材料；所述栅极结构由位于势垒层5上表面层叠设置的第一P型GaN材料9、高阻GaN材料6和第二导电材料11组成，所述第二导电材料11引出端为栅电极；所述势垒层5、第一导电材料7、高阻GaN材料6和栅极结构之间具有第二P型GaN材料8，第二P型GaN材料8左右两端分别与第一导电材料7和第一P型GaN材料9相接触，第二P型GaN材料8上下两端分别与势垒层5和高阻GaN材料6相接触；所述势垒层5上表面具有从栅极结构沿水平方向向右延伸的第三P型GaN材料10，第三P型GaN材料10左端与第一P型GaN材料9相接触，且右端与第三导电材料12之间存在间隔，间隔处填充有高阻GaN材料6；所述第二P型GaN材料8和第三P型GaN材料10厚度低于第一P型GaN材料9。

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