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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510203871.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，所述方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构、第一牺牲层和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括依次堆叠的第一材料层和第二材料层；在栅极区域内沉积半导体材料，以形成伪栅结构；去除第一牺牲层，以形成第一凹槽；横向刻蚀第一半导体结构中的第一材料层、第二半导体结构中的第一材料层以及伪栅结构，以形成第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽内沉积介质材料，以分别形成隔离层、第一内侧墙、第二内侧墙以及侧墙；基于第二半导体结构和第一半导体结构，分别形成第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。本申请可以减少堆叠晶体管形成过程中的工艺步骤与复杂度。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成半导体结构，所述半导体结构包括沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一牺牲层和第二半导体结构，所述第一半导体结构包括沿所述第一方向依次堆叠的第一材料层和第二材料层，所述第二半导体结构包括沿所述第一方向依次堆叠的第一材料层和第二材料层； 在栅极区域内沉积半导体材料，以形成伪栅结构，所述伪栅结构环绕所述第二半导体结构、所述第一牺牲层以及所述第一半导体结构，所述伪栅结构的高度高于所述半导体结构的高度； 去除所述第一牺牲层，以形成第一凹槽； 沿第二方向刻蚀所述第一半导体结构中的第一材料层、所述第二半导体结构中的第一材料层以及所述伪栅结构中高于所述半导体结构的部分，以形成第二凹槽，所述第二方向为所述第一方向的垂直方向； 在所述第一凹槽和所述第二凹槽内沉积介质材料，以分别在所述第一牺牲层被去除的位置处形成隔离层、在所述第二半导体结构中的第一材料层被刻蚀的位置处形成第一内侧墙、在所述第一半导体中的第一材料层被刻蚀的位置处形成第二内侧墙、以及在所述伪栅结构中高于所述半导体结构的部分被刻蚀的位置处形成侧墙； 在所述隔离层的具有所述第一内侧墙和所述侧墙的一侧，基于所述第二半导体结构，形成第一环栅晶体管； 在所述隔离层的具有所述第二内侧墙的一侧，基于所述第一半导体结构，形成第二环栅晶体管。

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