西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院贾护军获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510277113.4，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法是由贾护军;韦星语;赵淋娜;苏琪钰;曹伟涛;杨万里;曹震;杨银堂设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括：阶梯状的漏区，漏区两侧设置漏极接触，漏区顶部设置阶梯状的沟道层，沟道层两侧设置源区，每个源区顶部均设置源极接触，沟道层顶层开设沟槽，沟槽内设置栅极介质层，沟槽底部的栅极介质层上表面设置栅极金属，栅极金属与栅极介质层产生空腔为生物分子探测腔；其制备方法采用刻蚀漏区、沟道层，获得目标形状和沟槽结构，嵌入源区和氧化层，刻蚀部分氧化层并将栅极金属嵌入，刻蚀栅极金属两侧氧化层并长出栅极介质层，形成生物分子探测腔，在源区、漏区部分位置进行金属化得到最终结构；提高了器件电流和检测生物分子的灵敏度。
本发明授权一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于并联隧穿结垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，包括两侧均为双层阶梯状的漏区3，漏区3两侧底层阶梯上表面均设置有漏极接触8，漏区3顶层阶梯表面设置有两侧均为双层阶梯状的沟道层2，沟道层2两侧阶梯处均设置有源区1，源区1同时与沟道层2底层上表面及顶层侧面相贴合，每个源区1上表面均设置有源极接触7，沟道层2顶层开设有沟槽，沟槽内设置有一层栅极介质层4，沟槽底部的栅极介质层4上表面设置有栅极金属5，栅极金属5与沟槽两侧的栅极介质层4产生空腔，作为生物分子探测腔6。
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