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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510222026.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件和制备方法是由李巍;李泽宏;万力;杨洋;任敏设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件和制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件和制备方法。相比于之前的FloatingP‑bodyIGBT结构，本发明提出的IGBT在发射极端嵌入MOS控两个串联的浮空肖特基二极管P型肖特基二极管和N型肖特基二极管。当器件处于正向导通时，浮空P型区的电势小于两个浮空肖特二极管的开启电压之和，会进一步增强载流子注入和优化载流子分布，进而增强器件的电导调制效应，从而降低器件的导通损耗。当器件处于短路耐受时，器件集电极和发射极两端两端电压较大，此时浮空P型区的电势大于两个浮空肖特二极管的开启电压之和，器件体内空穴将通过浮空金属复合消失，来降低器件的饱和电流，以及提高器件的短路耐受能力。

本发明授权集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成MOS控浮空肖特基二极管的IGBT器件，其特征在于：包括集电极金属1、P型集电极区2、N型缓冲层3、N型漂移区4、浮空P型区5、N型阻挡区6、P-body7、P+发射极区8、N+发射极区9、沟槽栅极氧化层10、栅极多晶硅11、发射极金属12、浮空金属13、P+发射极接触区14、N+发射极接触区15、栅极氧化层隔离区16和浮空金属氧化层隔离区17； 所述集电极金属1位于P型集电极区2的下方；所述P型集电极区2位于集电极金属1和N型缓冲层3之间；所述N型缓冲层3位于N型漂移区4的下方；所述N型漂移区4位于浮空P型区5的下方，所述N型阻挡区6位于P-body7的下方； 沟槽栅极氧化层10的底部置于浮空P型区5中；沟槽栅极氧化层10的内表面将栅极多晶硅11包围在其中，同时沟槽栅极氧化层10贯穿整个P-body7和N型阻挡区6，将P-body7和N型阻挡区6分成左右两部分； 沟槽栅极氧化层10左侧，P-body7上方为P+发射极区8和N+发射极区9，P+发射极区8的右表面与N+发射极区9接触；P+发射极区8和N+发射极区9的上方为发射极金属12，发射极金属12的下表面与P+发射极区8、N+发射极区9接触；N型漂移区4与沟槽栅极氧化层10左侧的N型阻挡区6的部分下表面接触；N+发射极区9的右表面与沟槽栅极氧化层10接触； 沟槽栅极氧化层10右侧，P-body7上方为N+发射极接触区15和P+发射极接触区14，P+发射极接触区14的左表面与N+发射极接触区15接触、P+发射极接触区14的下表面与P-body7接触，P+发射极接触区14的右表面和P-body7的右表面都与浮空金属氧化层隔离区17接触；P-body7和浮空金属氧化层隔离区17的下方为N型阻挡区6，N型阻挡区6和浮空金属氧化层隔离区17的右表面与浮空金属13接触；所述浮空P型区5位于N型阻挡区6的下方，浮空P型区5的左表面与N型漂移区4接触、浮空P型区5的上表面与浮空金属13接触，发射极金属12的下表面与N+发射极接触区15、P+发射极接触区14接触，所述N+发射极接触区15的左表面与栅极氧化层10接触； 所述沟槽栅极氧化层10位于栅极氧化层隔离区16的下方，沟槽栅极氧化层10的外表面与浮空P型区5、N型阻挡区6、P-body7、N+发射极区9、N+发射极接触区15接触；栅极多晶硅11的上表面与栅极氧化层隔离区16接触；所述发射极金属12位于器件的顶部，发射极金属12的右表面与浮空金属氧化层隔离区17接触；所述栅极氧化层隔离区16位于发射极金属12中，栅极氧化层隔离区16下表面与沟槽栅极氧化层10、栅极多晶硅11接触。

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