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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510159724.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;郭睿;卢浩然;张立宁;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括第一鳍状结构和第二鳍状结构；基于第一鳍状结构，依次形成第一源漏结构、第一栅极结构和第一源漏金属；基于第二鳍状结构，依次形成第二源漏结构、第二栅极结构和第二源漏金属；在第二栅极结构和第二源漏金属之上形成背面通孔结构和背面电源轨，以得到背面晶体管，背面电源轨通过背面通孔结构分别与第二源漏金属和第一栅极结构连通；在第一栅极结构和第一源漏金属之上形成正面通孔结构和正面电源轨，以得到正面晶体管，正面电源轨通过正面通孔结构分别与第一源漏金属和第二栅极结构连通。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在半导体衬底上形成鳍状结构，其中，所述鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一鳍状结构和第二鳍状结构； 基于所述第一鳍状结构，依次形成第一源漏结构、第一栅极结构和第一源漏金属，其中，所述第一源漏金属覆盖所述第一源漏结构，且所述第一源漏金属相比于所述第一源漏结构远离所述第二鳍状结构； 基于所述第二鳍状结构，依次形成第二源漏结构、第二栅极结构和第二源漏金属，其中，所述第二源漏结构和所述第一源漏结构沿所述第一方向堆叠，所述第二栅极结构和所述第一栅极结构沿所述第一方向堆叠；所述第二源漏金属覆盖所述第二源漏结构，且所述第二源漏金属相比于所述第二源漏结构远离所述第一鳍状结构； 在所述第二栅极结构和所述第二源漏金属之上形成背面通孔结构和背面电源轨，以得到背面晶体管，其中，所述背面电源轨通过所述背面通孔结构分别与所述第二源漏金属和所述第一栅极结构连通； 在所述第一栅极结构和所述第一源漏金属之上形成正面通孔结构和正面电源轨，以得到正面晶体管，其中，所述正面电源轨通过所述正面通孔结构分别与所述第一源漏金属和所述第二栅极结构连通；所述正面电源轨在第二方向上位于所述鳍状结构的第一侧，所述背面电源轨在所述第二方向上位于所述鳍状结构的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相背，所述第二方向与所述第一方向垂直。

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